三菱電機、フルSiCパワー半導体モジュールを開発：産業用機器の高効率化、小型化へ

三菱電機は、産業用フルSiC（炭化ケイ素）パワー半導体モジュール「NXタイプ」を開発、サンプル出荷を始めた。内部インダクタンスを低減し、第二世代SiCチップ搭載により電力損失を低減した。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

内部インダクタンスの低減と、SiCチップ搭載で電力損失削減

　三菱電機は2023年6月、産業用フルSiC（炭化ケイ素）パワー半導体モジュール「NXタイプ」を開発、サンプル出荷を始めた。内部インダクタンスを低減し、第二世代SiCチップ搭載により電力損失を低減した。

産業用フルSiCパワー半導体モジュールNXタイプの外観出所：三菱電機

　新製品「FMF600DXE-34BN」は、定格電圧1700Vで定格電流600A、絶縁耐電圧4000V_rmsのSiCパワー半導体モジュールである。パッケージ内の電極にラミネート構造を採用した。電極構造を最適化することで、内部のインダクタンスを9nHとした。この値は、従来品に比べ47％の削減となる。この結果、サージ電圧を抑制でき、高速スイッチング動作を可能にした。

　また、JFET（接合型電界効果トランジスタ）ドーピング技術を用いたSiCチップの採用により、電力損失を従来に比べ約72％も低減した。製品の発熱を抑えたことで、冷却装置の小型軽量化が可能になるという。

　新製品の外形寸法は62×152×17mm。ピン配置も含めNXタイプにおけるパッケージ互換を維持した。サンプル品の価格は個別見積もりとなる。