8インチSiCウエハーを24年から本格量産へ、湖南三安半導体：ネプコンジャパン2024で展示

湖南三安半導体は、「第1回 パワーデバイス＆モジュールEXPO」（2024年1月24〜26日／東京ビッグサイト）に出展し、8インチのSiC（炭化ケイ素）ウエハーを展示した。2024年からの本格量産を開始する予定だ。

[半田翔希，EE Times Japan]

　パワー半導体の開発／製造を行う中国湖南三安半導体は、「第38回ネプコンジャパン」（2024年1月24〜26日／東京ビッグサイト）の構成展として初めて開催された「第1回 パワーデバイス＆モジュールEXPO」に出展し、8インチのSiC（炭化ケイ素）ウエハーを展示した。

　2024年から8インチSiCのインゴットやエピウエハーの量産を開始する予定で、量産開始時の生産キャパシティーは月産2万枚を見込んでいる。SiC-SBD（Schottky Barrier Diode）やSiC-MOSFETについても、2025年後半から2026年内の提供開始を目指している。

（左）＝左から、8インチ SiC インゴット、SiC基板（8インチ、6インチ）、SiC エピウエハー（8インチ、6インチ）／（右）＝左から、SiC-SBDのウエハーとデバイス、SiC-MOSFETのウエハーとデバイス（MOSFETについては、ニッケル／パラジウム／金めっき対応ウエハーと、アルミニウムめっき対応ウエハーを展示）［クリックで拡大］

　湖南三安半導体は2020年7月、中国最大のLEDチップメーカーである三安光電グループの完全子会社として設立された。主に、SiCやGaN（窒化ガリウム）といった化合物半導体の製造を手掛けている。主要用途は、EV（電気自動車）や民生機器、太陽光発電システムなどで、「既に欧米の大手企業に採用されていて、日本では大手電機メーカーの製品にも使われる見込みだ」（湖南三安半導体の担当者）という。

　2023年6月には、親会社である三安光電とSTMicroelectronicsが、SiCパワー半導体の量産に向けた合弁会社／工場を設立すると発表。合弁工場は、湖南三安半導体の既存工場（中国湖南省長沙市）の隣に建設する予定で、2025年第4四半期（10〜12月）に生産を開始し、2028年のフル稼働を目標としている。総投資額は約32億米ドルになる見込みで、そのうち51％を湖南三安半導体が、49％をSTMicroelectronicsが出資する。合弁工場が本格稼働した後の生産キャパシティーは、月産4万枚（8インチウエハー換算）を見込んでいる。

湖南三安半導体のパワー半導体工場の概要［クリックで拡大］