Samsungが、「業界初」12層の36GB HBM3E DRAMを開発：24年前半に量産開始へ

Samsung Electronicsが、「業界初」（同社）となる12層の36Gバイト（GB）HBM3E DRAM製品「HBM3E 12H」を開発した。既にサンプル出荷を行っていて、2024年前半の量産開始を予定している。

[永山準，EE Times Japan]

　Samsung Electronics（以下、Samsung）は2024年2月27日、「業界初」（同社）となる12層の36Gバイト（GB）HBM3E^※ DRAM製品である「HBM3E 12H」を開発したと発表した。既にサンプル出荷を行っていて、2024年前半の量産開始を予定している。

12層の36GB HBM3E DRAM製品「HBM3E 12H」［クリックで拡大］ 出所：Samsung Electronics

※：広帯域幅メモリ（High Bandwidth Memory：HBM）の最新バージョン

AI時代の大容量HBM市場に向けて

　HBM3E 12Hは、最大1280GB/秒のメモリ帯域幅と、36GBの容量を実現。8層の「HBM3 8H」と比較すると、メモリ帯域幅と容量はいずれも50％以上向上しているという。同社のメモリ製品企画担当執行副社長であるYongcheol Bae氏は、「AI（人工知能）サービスプロバイダーは、より大容量のHBMを必要としている。HBM3E 12Hは、そのニーズに応えるために設計されたものであり、多積層構造のHBMのコア技術を開発し、AI時代の大容量HBM市場に技術的リーダーシップを提供するというわれわれの取り組みの一環だ」と述べている。

　Samsungは、性能と容量を向上したHBM3E 12Hによって顧客はリソースをより柔軟に管理し、データセンターの総所有コスト（TCO）を削減可能になると説明。同社のシミュレーションでは、HBM3E 12HをAIアプリケーションで使用した場合、HBM3 8Hを採用した場合と比較して、AI学習の平均速度は34％向上し、推論サービスの同時ユーザー数は11.5倍以上に拡大できると推定されるという。

　また、HBM3E 12Hは最先端の熱圧着非伝導性フィルム（TC NCF）を適用することで、12層となっても8層品と同じ高さ仕様を実現していて、現行のHBMパッケージ要件を充足。Samsungは、NCF材料の薄型化を推進していて、「業界最小のチップ間ギャップ7μmを達成するとともに、層間のボイドの排除を実現した」と説明。これらの結果、HBM3 8Hと比較して垂直密度は20％以上向上しているという。

　さらに、TC NCFの適用によって、チップ間にさまざまなサイズのバンプが使用できるようになり、HBMの熱特性も改善した。チップボンディング工程では小さいバンプは信号伝達のための領域に使用し、大きいバンプは放熱が必要な領域に配置される。この手法は製品歩留まり向上にも役立つという。