メディア

SiCへの移行は加速するのか？　コストと持続可能性への疑問：開発プロジェクトを中止したメーカーも（2/2 ページ）

» 2024年03月28日 11時30分公開

コスト低減はウエハー大口径化に期待が集まる

　SiCデバイス製造可能性とコストに関する課題は、Lowe氏も認識している。講演ではそうした懸念を「短期的な混乱」と呼び、SiCブールやSiC基板、SiCウエハー／エピウエハーなどを含めた需給関連の課題について、10年以内には解決されるだろうと楽観的な見方を示した。

　Lowe氏は「われわれは6インチウエハーから8インチウエハーに移行することで、SiCで引き続き優れた経済的価値を実現していく。面積を1.7倍に拡大し、コストを約40％削減できる」とした。同氏はコストと製造の課題解決を、巨額の投資とそれを引き出すであろう自動車業界に期待しているようだ。

　Balakrishnan氏が唱えたようなSiCへの移行可能性への反対意見が現実的なものかどうか、バランスの取れた見解を示せるのはSiCとGaNの両方の事業を手掛けている企業だろう。GaN分野のパイオニアであるNavitas Semiconductor（以下、Navitas）は、2022年にSiCスタートアップのGeneSiC Semiconductorを買収し、SiCとGaNの両方の開発に取り組んでいる。今回のAPEC 2024では、同社のコーポレートマーケティング担当副社長を務めるStephen Oliver氏が、SiCウエハーコストの進化について説明した。

　同氏は、「Creeの6インチSiCウエハーの価格は、2018年には1枚あたり約3000米ドルだった。2024年になると、Wolfspeedの7インチウエハーは約850米ドルになる。さらに2028年には、12～15インチのSiCウエハーが製造され、価格は400米ドルまで下がる可能性がある」と述べている。

　最終的には、Oliver氏のSiCに関する見解はLowe氏の考えに近いものだった。近年の技術の歴史は、規模の経済がいかにコストと製造可能性の問題に対応してきたかを示すものであり、それがSiC陣営のよりどころとなっている。膨大な投資と自動車業界からの支援も役に立つとみられる。

【翻訳：田中留美、編集：EE Times Japan】

原文へのリンク

天野浩氏が語ったGaNパワーデバイスの展望　「エネルギー効率99％以上を目指す」
Si（シリコン）に代わる新しい材料として、SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）などのWBG（ワイドバンドギャップ）半導体が注目を集めている。名古屋大学教授でノーベル物理学賞受賞者である天野浩氏の講演から、GaN基板／デバイスの研究開発の現状と将来展望を紹介する。
半導体業界を変える？　SiCウエハーを活用し「グラフェントランジスタ」を製造
米ジョージア工科大学と中国天津大学の研究チームは、グラフェンを用いた機能性半導体の作成に成功したと発表した。SiCの結晶面で成長する単層のグラフェン（エピタキシャルグラフェン）を用いたものだ。
パワー半導体市場、2035年に7兆7757億円規模へ
富士経済は、パワー半導体とその構成部材、製造装置の世界市場を調査し、2035年までの市場予測を発表した。パワー半導体の市場規模は2023年の3兆1739億円に対し、2035年は7兆7757億円規模になると予測した。
8インチSiCウエハーを24年から本格量産へ、湖南三安半導体
湖南三安半導体は、「第1回パワーデバイス＆モジュールEXPO」（2024年1月24～26日／東京ビッグサイト）に出展し、8インチのSiC（炭化ケイ素）ウエハーを展示した。2024年からの本格量産を開始する予定だ。
年100万枚以上のSiCウエハー生産へ、onsemiが韓国で工場拡張
onsemiが、韓国富川市のSiCウエハー製造工場の拡張を完了した。同工場はonsemiにとって最大かつ最新鋭のSiC製造施設となり、フル稼働時には年間100万枚以上の200mm SiCウエハーの生産が可能になるという。