GaNウエハー取り枚数が8枚から11枚に インゴットをレーザーでスライス：ディスコの独自プロセス「KABRA」（2/2 ページ）

[浅井涼，EE Times Japan]

酸化ガリウム、ダイヤモンド……次世代材料にも対応

　SiCやGaN以外の次世代半導体材料への対応も見据え、ブースでは今後の活用が期待されるGa₂O₃（酸化ガリウム）、ダイヤモンドなどの加工サンプルを展示した。ブース説明員は「新しい材料の加工に課題があれば、ぜひ相談してもらいたい。実用化に先駆けて知見を蓄積していく」と話した。

次世代半導体材料の加工サンプル［クリックで拡大］

　会期中は、ディスコ 社長兼CEO（最高経営責任者）の関家一馬氏もブースに立った。関家氏は同社の強みについて「新しいことを始めるハードルを下げ、イノベーションが生まれやすい環境を整えている。例えば、社内クラウドファンディング制度を利用すれば、経営承認を得ずに装置の開発を始められる。顧客に提供しない社内利用向けの装置は、レストランのまかない料理のように『まかない装置』として若手主体で開発を行っている」と説明。「今後も切る／削る／磨くという領域において圧倒的な問題解決者でありたい」と語った。