ついにAIサーバに、次は車載へ GaNパワー半導体で攻めるローム：高出力領域で拡大へ（3/4 ページ）

[永山準，EE Times Japan]

シリコンと同等の設計難易度で「GaNの性能を100％引き出す」

　GaNパワーデバイスを採用する際、汎用ドライバーや汎用コントローラーを用いる場合、設計難易度が大きく上がる。一方で、そうした設計ではGaNが本来持つ性能を完全に引き出すことは困難だという。この課題に対し、ロームでは「GaNの性能を100％引き出す」ための専用ドライバーおよびコントローラーを開発し、設計難易度の低減を同時に実現していく方針で、「現在、この方向に向かって随時効果的なドライバーやコントローラーを市場に投入していっている段階だ」と説明。各製品を拡充している（後述）

GaNの導入を容易にするためのアプローチ［クリックで拡大］ 出所：ローム

「GaNの真価を発揮する」高速動作時の信頼性を確保

　最後に「信頼性」についてだ。GaN HEMTの基本構造に関する信頼性はJEDEC規格の試験で検証可能だが、JEDEC規格では静的特性に基づいて信頼性を評価しているため、「GaNデバイスの真価が発揮される高速動作時の信頼性検証には不十分」という課題があるという。

　そこでロームは、JEDECの信頼性基準では確認できていない高周波数動作に関し、実際のアプリケーションにより近い形での動作条件において検証する独自の『Beyond JEDEC試験』を実施。これによって「安心してGaN HEMTの性能をフル活用できる」としている。

GaNの信頼性を確保するためのアプローチ［クリックで拡大］ 出所：ローム