キヤノンと日本シノプシスがRapidusに委託へ
キヤノンと日本シノプシスは2026年3月3日、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の公募事業に採択された次世代半導体の設計技術開発プロジェクトに参画すると発表した。両社はRapidusの2nm GAA(Gate All Around)プロセスを活用する。
Rapidus、千歳で製造した2nm GAAトランジスタの試作品を初展示
Rapidusは「SEMICON Japan 2025」(2025年12月17〜19日)に出展し、北海道千歳市の開発/製造拠点「IIM(イーム)」で製造した2nm GAA(Gate All Around)トランジスタや600mm角 再配線層(RDL)インターポーザーパネルの試作品を展示した。
Rapidus、600mm角インターポーザーパネルを初披露 NVIDIAの受託にも意欲
Rapidus 社長兼CEOの小池淳義氏は「SEMICON Japan 2025」内のセミナープログラムに登壇。同社が掲げるビジネスモデル「RUMS(Rapid and Unified Manufacturing Service)」や前工程/後工程の最新の取り組みを紹介したほか、600mm角の再配線層(RDL)インターポーザーパネルの試作品を披露した。