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SiC LSIの事業化に挑む　28年以降ADCのサンプル出荷へ：京都大学工学研究科准教授金子光顕氏（3/3 ページ）

» 2026年05月19日 10時15分公開

[浅井涼，EE Times Japan]

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目指すは「高温ICの本命」　周辺技術の整備も進める

――社会実装に向けたこれからの課題はどのようなものですか。

金子氏　SiC LSI自体の開発の課題は、現在販売されているSiCウエハーがパワーデバイス向けのものだということだ。現状のSiCウエハーでLSIを作ることは想定されていないので、今後は材料面の開発も企業と連携して進めていきたい。

　加えて、相補型JFETが新しい回路方式で、設計ツールがまだないことも課題だ。現在は自前で用意しているが、すぐに限界が来るだろう。今後はツールについても大手企業と連携する必要があると考えている。

　実用化に向けては、システムを構成する周辺技術の開発も課題だ。SiC LSIだけ完成してもシステムとして動かなければ顧客は利用できないので、高温環境に対応したコネクターやパッケージ、SiC LSIに対応したテスト装置なども必要になる。300℃動作に対応した部品市場を見るとまだ標準化は進んでいないが、300℃で使用できる部品を提供している企業があることは分かっている。パッケージに関しては、日本国内のいくつかの企業と秘密保持契約（NDA）を結び、技術検討を進めている。

――最後に、産業界に向けて伝えたいことはありますか。

金子氏　相補型JFETは新しい回路方式なので、開発に時間はかかるかもしれないが、高温ICの本命になれるように進めていきたい。

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