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「15nmプロセス」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「15nmプロセス」に関する情報が集まったページです。

ローム RLD90QZW3:
LiDAR用75W高出力半導体レーザーダイオード
ロームは、LiDAR用75W高出力半導体レーザーダイオード「RLD90QZW3」を開発した。225μmの狭発光幅と21%の電力光変換効率を備え、AGVやロボットに搭載するLiDARの長距離対応と高精度化に貢献する。(2021/7/29)

湯之上隆のナノフォーカス(40):
Intelの逆襲なるか、ゲルシンガーCEOが描く「逆転のシナリオ」
Pat Gelsinger氏は、Intelの新CEOに就任して以来、次々と手を打っている。本稿では、Gelsinger CEOが就任後のわずか5カ月で、打つべき手を全て打ったこと、後はそれを実行するのみであることを示す。ただし、その前には、GF買収による中国の司法当局の認可が大きな壁になることを指摘する。(2021/7/28)

福田昭のデバイス通信(312) imecが語る3nm以降のCMOS技術(15):
次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」の製造プロセス
今回は、下側(底側、ボトム側)のトランジスタを作り込んでから、その上に別のウエハーを貼り合わせて上側(頂側、トップ側)のトランジスタを作成する「シーケンシャル(Sequential)CFET」の製造プロセスを解説する。(2021/7/27)

EE Exclusive:
スマホ搭載デバイス分析 〜完全分離されたAppleとHuaweiのエコシステム
米中間の貿易戦争が悪化の一途をたどる中、この2大経済大国の関係が破綻する可能性を示す、「デカップリング(Decoupling、分断)」というバズワードが登場している。しかし目の前の問題として、「本当に分断は進んでいるのだろうか」「マクロ経済レベルではなく、世界エレクトロニクス市場のサプライチェーンレベルの方が深刻な状況なのではないだろうか」という疑問が湧く。(2021/6/30)

大阪大学が開発:
塗るだけで水濡れ短絡を防ぐ、木材由来のナノ繊維で
大阪大学は、木材由来のナノ繊維を電子回路にコーティングすることで、水濡れによる故障(短絡)を長時間抑制する技術を発表した。開発したのは、大阪大学産業科学研究所の春日貴章氏、能木雅也教授らの研究グループ。(2021/4/16)

福田昭のストレージ通信(191) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(18):
1Gビット当たりのコストが1.0米セントに近づく最新3D NANDフラッシュ
今回は、3D NANDフラッシュ各社の製造コスト(記憶容量当たり)を比較する。コストは、ワード線の積層数と記憶容量によって大きく変動する。(2021/4/13)

強相関電子の絶縁性をスピンで制御:
二酸化バナジウム、強磁場で絶縁体から金属に変化
東京大学物性研究所と岡山大学異分野基礎科学研究所は、タングステン(W)を添加した二酸化バナジウム(VO2)が、500テスラの強磁場中で絶縁体から金属に変わることを発見した。(2020/7/22)

VLSIシンポジウム 2020:
FinFETやGAAにも適用可能なエアスペーサー形成技術
オンラインで開催された半導体デバイス/回路技術に関する国際会議「VLISシンポジウム 2020」(2020年6月15〜18日/ハワイ時間)で、IBM Researchの研究グループは先端CMOSにエアスペーサーを導入する技術を発表した。(2020/7/3)

湯之上隆のナノフォーカス(26):
3D NANDの最新動向、覇権争いの鍵となる技術は? バーチャル開催の「IMW2020」から
半導体メモリの国際学会「インターナショナル・メモリ・ワークショップ(IMW)2020」が5月17日〜20日の4日間、バーチャル方式で開催された。本稿では、チュートリアルの資料を基に、NAND型フラッシュメモリメーカー各社の現状とロードマップを紹介する。(2020/6/3)

冷却能力はペルチェ素子の約10倍:
半導体ヘテロ構造を用いた高効率冷却素子を開発
東京大学らの研究グループは、半導体へテロ構造を用いて、効率が高い冷却素子を開発した。従来のペルチェ素子に比べ約10倍の冷却能力を持つという。(2019/10/4)

磁気抵抗効果が従来の約800倍:
東京大学、新たな電子伝導現象を発見
東京大学は、非磁性半導体と強磁性半導体からなる二層ヘテロ接合を作製し、新たな電子伝導現象を発見した。磁気抵抗効果は従来に比べ約800倍の大きさになることを確認した。(2019/8/30)

増大する車載ストレージに対応:
64層3D NANDを用いた256GBの車載用eMMC、WDが発表
Western Digital(ウエスタンデジタル)は2019年5月30日、車載向けとして、TLC(Triple Level Cell)タイプの64層3D NANDフラッシュメモリを搭載したeMMCの新製品「Western Digital iNAND AT EM132 EFD(以下、iNAND AT EM132)」を発表した。(2019/5/31)

超低消費電流を実現したASSP:
環境発電で“欠けていたピース”埋める、ルネサスのSOTB
ルネサス エレクトロニクスはドイツ・ミュンヘンで開催された「electronica 2018」(2018年11月13〜16日)で、エナジーハーベスト(環境発電)で得たエネルギーで駆動できる組み込みコントローラー「R7F0E」を発表した。核となるのはルネサス独自のプロセス技術「SOTB(Silicon On Thin Buried Oxide)」である。(2018/11/20)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
AMD復活の立役者がラティス新CEOに、問われるその手腕
Lattice Semiconductorの新CEOに、AMDを「Zen」で復活に導いたJim Anderson氏が就任する。技術畑の出身ながら低迷するAMDを立て直した手腕を見込まれての登用となるが、Zenのような“銀の弾丸”は用意できるのだろうか。(2018/9/18)

レジストにも課題が:
EUV、5nm付近でランダム欠陥 imecが報告
EUV(極端紫外線)リソグラフィの5nmプロセスで、ランダム欠陥が発生することを、imecの研究者が報告した。(2018/3/5)

高移動度と低接触抵抗を両立:
大面積の2次元有機単結晶ナノシートを作製
東京大学、産業技術総合研究所(産総研)、物質・材料研究機構(NIMS)らの研究グループは、有機半導体インクを用いた印刷手法で、膜厚が15nm以下の2次元有機単結晶ナノシートを10cm角以上の大きさで作製することに成功した。高移動度と低接触抵抗を両立した有機半導体を実現することができる。(2018/2/6)

いまさら聞けないHILS入門(13):
HILSによる故障診断機能のテスト(その3)
車載システムの開発に不可欠なものとなっているHILSについて解説する本連載。最終回となる今回は、アクチュエーター故障の中からインジェクターとスロットルアクチュエーターのテストを紹介します。(2017/12/26)

古田雄介のアキバPickUp!:
6年ぶりのATX薄型ケースや7年ぶりのトラックボールが登場
PCパーツは1〜2年ペースで新作が登場するシリーズも多いが、更新が止まっていたり5年以上かかったりするケースもある。先週は後者のパターンが2モデル見つかった。(2017/9/25)

古田雄介のアキバPickUp!:
プレクから新型のM.2&PCIe型NVMe SSDが登場!
Plextorから新世代のNVMe SSD「M8Se」シリーズが売り出された。また、16GBのOptane同梱のマザーボードや、低価格なUHD BDドライブも登場している。(2017/6/12)

IEDM 2016:
進む7nmプロセスの開発、TSMCとIBMが成果を発表
米サンフランシスコで開催された「IEDM 2016」では、TSMCとIBMがそれぞれ最新プロセス技術について発表し、会場を大いに沸かせたようだ。(2016/12/8)

ET2016 レポート:
産業機器向けSSD製品、信頼性や低背で差異化
イノディスク・ジャパンは、「Embedded Technology 2016」「IoT Technology 2016」で、産業機器向けのフラッシュストレージ製品やDRAMモジュールの新製品を展示した。(2016/11/24)

福田昭のデバイス通信(89):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(JSR Micro編)
大手レジストベンダーJSR Microの講演では、主に同社とimecの共同開発の内容が発表された。その1つが、JSR MicroのEUV(極端紫外線)レジストをimec所有のEUV露光装置で評価するというもので、化学増幅型のEUVレジストによってハーフピッチ13nmの平行直線パターンを解像できたという。さらに、5nm世代のEUVリソグラフィの目標仕様と現状も紹介された。(2016/9/21)

不揮発メモリの高容量化などが実現可能に:
酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明
東京工業大学の清水荘雄特任助教らによる研究グループは、酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明した。薄膜でも特性が劣化しない強誘電体の開発により、高速動作する不揮発メモリの高容量化や、強誘電体抵抗変化メモリの実用化が可能になるとみられている。(2016/9/13)

福田昭のデバイス通信(87):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(東京エレクトロン編)
今回は、7nm世代以降の半導体製造プロセスで使わざるを得なくなるだろう「自己整合(セルフアライン)的なリソグラフィ技術」に触れる。その候補は3つ。東京エレクトロンのBen Rathsack氏が、3つの候補技術の現状を紹介した。(2016/9/9)

PLEXTOR、NVMe対応の内蔵型M.2 SSD「M8PeG」シリーズの取り扱いを開始
リンクスインターナショナルは、PLEXTOR製となるNVMe接続対応の内蔵型M.2 SSD「M8PeG」シリーズの取り扱いを発表した。(2016/8/26)

粒子ブラスト法により、大気中で表面処理:
多層CNT成長法を開発、3次元物体表面も簡便に
産業技術総合研究所(産総研)の渡辺博道主任研究員らは、マイクロフェーズと共同で、金属や炭素材料からなる3次元物体の表面に、多層カーボンナノチューブ(CNT)を成長させる簡便な方法を開発した。(2016/7/7)

「2016 VLSI Symposia」プレビュー:
10nmプロセス以降に焦点、“微細化のその先”も
2016年6月に米国ハワイで開催される「2016 VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits」では、10nm以降のプロセス技術の研究成果も多数発表される予定だが、“微細化のその先”についても、これまで以上に活発な議論が行われるようだ。(2016/3/30)

OCZ、15nm TLC NAND採用のスタンダードSSD「Trion 150」を発表
OCZストレージソリューションは、メインストリーム向けとなる2.5インチSATA SSD「OCZ Trion 150」シリーズを発表した。(2016/2/5)

64層3D NANDで売価下落に対抗へ:
東芝、赤字転落の半導体事業は自主再建
東芝の電子デバイス部門の2015年度(2016年3月期)業績は、550億円の営業赤字を計上する見込みとなった。前年度に比べ2716億円減という大幅減益だ。NAND型フラッシュメモリ(NANDメモリ)事業を除き、ディスクリート、システムLSI、ストレージの3事業で赤字となり、事業構造の見直しを実施する。さらに2015年後半からの売価下落で利益幅が縮小しているNANDメモリも、高集積品の開発を急ぎ価格競争力を高めるなどし、電子デバイス事業として2016年度の黒字転換を目指す。(2016/2/5)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(12):
可視光と赤外光の画像を同時に撮影
カンファレンス3日目に行われるセッション30では、オリンパスが、可視光と赤外光を同時に別々の画像として撮像するマルチバンド・イメージセンサーについて講演する。セッション31では、シリコン基板上にIII-V族化合物デバイスを作成する、次世代の電子デバイスや光デバイスについての発表が相次いで行われる。(2015/12/2)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(11):
生体に埋め込む脳血流量測定システム
今回はセッション27〜29を紹介する。セッション29では、生体組織分析デバイスや生体モニタリングデバイスに関する講演が行われる。Columbia Universityらの研究グループは、有機材料の発光ダイオードおよび光検出器を組み合わせた、脳血流量モニタリングシステムを発表する。同システムの厚みは、わずか5μmしかない。(2015/11/30)

フラッシュストレージの価格破壊に挑戦!:
サンディスクが単価1ドル/GB以下の「InfiniFlash」
サンディスク(SanDisk)は、エンタープライズ向けオールフラッシュストレージプラットフォーム「InfiniFlash」について、日本市場でも2015年11月中旬より供給を始める。3Uサイズの筐体で最大容量512TB(テラバイト)を可能にするとともに、ギガバイト単価を1米ドル以下にするなど低コストを実現した。(2015/10/27)

SEMICON West 2015リポート(12):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(5)〜インプリント装置の開発ロードマップ
今回は、ナノインプリント・リソグラフィ技術の開発ロードマップを紹介しよう。キヤノンは現在、インプリント装置の第1世代機の開発を終えたところで、今後5年間で第2および第3世代機の開発に取り組んでいく予定だ。インプリント装置のターゲットは、NAND型フラッシュメモリとDRAM、ロジックICである。(2015/9/18)

SEMICON West 2015リポート(9):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(2)〜解像度と位置合わせ、生産性
今回は、ナノインプリント・リソグラフィを構成する要素技術の開発状況をお伝えする。ここ1年でとりわけ大きく進歩しているのが、重ね合わせ誤差と生産性(スループット)だ。重ね合わせ誤差は半分〜3分の1に低減し、スループットは2倍〜3倍に向上しているという。(2015/9/8)

SEMICON West 2015リポート(5):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(2)〜開発の進ちょく状況
本稿では、EUVリソグラフィ開発の進ちょくをお伝えする。ASMLの開発用露光装置「NXE:3300B」は、1日当たりのウエハー処理枚数が1000枚を超え、以前に比べるとかなり進化した。また、7nm世代のロジック配線を解像できるようになっている。(2015/8/26)

スマホの駆動時間も飛躍的に延びる!?:
超低消費デバイスが作製できる強誘電体薄膜
東京工業大学の清水荘雄特任助教らの研究グループは、強誘電体の極薄単結晶膜の作製に成功した。極薄膜でも安定した特性の強誘電体膜が得られ、超高密度メモリやスマートフォンなどで消費電力を極めて小さくすることができる新型トランジスタの製造が可能だという。(2015/7/31)

メモリ各社の製品から探る:
プレーナ型NANDフラッシュの微細化の限界
最近になって、1Xnm世代のプロセスを適用したプレーナ(平面)型のNAND型フラッシュメモリが市場に投入され始めた。だが、プレーナ型NANDフラッシュの微細化は限界だといわれている。各社の1Xnm世代NANDフラッシュを見ながら、微細化技術について考察してみたい。(2015/6/23)

VLSIシンポジウム 2015 プレビュー(2):
デバイス技術の注目論文 〜7nm以降を狙う高移動度トランジスタ
今回は、メモリ分野、先端CMOS分野、非シリコン分野における採択論文の概要を紹介する。抵抗変化メモリ(ReRAM)や3次元縦型構造の相変化メモリ(PCM)に関する論文の他、GaNやSiGe、InGaAsなど、次世代の高移動度の化合物半導体を用いたトランジスタに関する技術論文の概要が紹介された。(2015/4/28)

東芝 THGBMHG7C2LBAIL/THGBMHG8C4LBAIRなど:
eMMC 5.1準拠の組み込みNANDメモリ――15nmプロセス採用で最大128GB容量
東芝は、eMMC Version 5.1に準拠した組み込み式NAND型フラッシュメモリを発表した。オプショナル機能として規定されたコマンドキューイング機能とセキュアライトプロテクション機能に対応している。(2015/4/2)

JEDEC eMMC Version 5.1準拠:
東芝、「コマンドキューイング」と「セキュアライトプロテクション」に対応したeMMC
東芝は、JEDEC eMMC Version 5.1規格に準拠したeMMC新モデルのサンプル出荷を開始。同規格のオプションとして規定されている「コマンドキューイング機能」と「セキュアライトプロテクション機能」に対応した。(2015/3/24)

プロセス技術 印刷エレクトロニクス:
解像度10nm台の微細加工に対応可能、キヤノンのナノインプリント半導体製造装置
キヤノンは、開発中のナノインプリント技術を用いた半導体製造装置について、2015年中の製品化を目指している。同装置は解像度10nm台の微細加工に対応することが可能である。まずはフラッシュメモリの製造ラインへの導入を予定している。(2015/2/25)

材料技術:
ダイヤモンドと窒化ホウ素の接合界面の原子構造を特定、新機能材料開発に道
東北大学 原子分子材料科学高等研究機構(AIMR)の幾原雄一教授らは、ダイヤモンドと窒化ホウ素の接合界面における原子構造を特定することに成功した。今回の研究成果は、共有結合物質同士の接合を用いた新機能材料の研究開発につながるとみられている。(2015/2/20)

プロセス技術:
20nm対応ナノインプリント用テンプレートの年内量産を発表――大日本印刷
大日本印刷(以下、DNP)は2015年2月19日、20nmレベルの半導体製造プロセスに対応したナノインプリントリソグラフィ(以下、NIL)用のテンプレート(型)の生産体制を構築し2015年にも量産を開始すると発表した。(2015/2/19)

メモリ/ストレージ技術:
NANDフラッシュ、売価下落も市場規模は拡大――2014年10〜12月
DRAMeXchangeによると、2014年第四半期におけるNAND型フラッシュメモリの世界市場は、全体として好調だったようだ。ただし、価格の下落は続いている。今後、Samsung Electronics(サムスン電子)は3次元NANDフラッシュ、東芝は15nmプロセスへの移行を加速させると見られている。(2015/2/6)

ビジネスニュース 企業動向:
東芝とSKハイニックスがナノインプリントを共同開発、15nmプロセス以降に適用
東芝とSKハイニックスが、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術で共同開発を開始する。NILは、回路パターンが掘られた型(モールド)をシリコンウエハーに直接押し当てて転写するもので、より微細な加工ができると期待されている。今回の共同開発では、15nmプロセス以降の実現を目指すとしている。(2015/2/5)

プリンタブルエレクトロニクス2015:
インクにも柔軟性を、伸縮自在の銀ペースト
プリンテッドエレクトロニクスでは、回路を印刷するインクやペーストも重要になる。「プリンタブルエレクトロニクス2015」では、伸縮性がある銀ペーストや、20μmの線幅で回路を形成できる銀ナノ粒子インクなどが展示された。(2015/2/3)

徹底プレビュー「ISSCC2015の歩き方」(11):
メモリ編:次世代大容量フラッシュと次世代高速DRAMに注目
今回は、大容量化と高速化が進む半導体メモリに焦点を当てる。メモリ市場の二大勢力となっているDRAMとNANDフラッシュメモリについての講演が多い。15nmプロセスを採用したNANDフラッシュメモリや、車載マイコン向けフラッシュメモリ技術、次世代のDRAMインタフェースなどに関する発表がある。(2015/1/19)

ビジネスニュース 業界動向:
2014年7〜9月のNANDフラッシュ市場シェア、東芝がサムスンとの差を縮める
2014年第3四半期のNAND型フラッシュメモリ市場は好調だ。前四半期比で最も成長したのは東芝で、売上高は23%増加している。一方、売上高でトップのSamsung Electronics(サムスン電子)は8%増で、シェアは3割を切った。(2014/11/20)

東芝、15nmプロセス採用の“世界最小級”組み込み式NANDフラッシュメモリを開発
東芝は、最新の15ナノメートルプロセスを採用したeMMC準拠のNANDフラッシュメモリを発表した。(2014/10/2)

メモリ/ストレージ技術:
11×10mmで64Gバイト! 東芝が「世界最小クラス」のNANDメモリを発表
東芝は2014年10月2日、15nmプロセスで製造したNAND型フラッシュメモリを用いた組み込み式NANDメモリチップを発表した。11×10mmのパッケージサイズで8G〜64Gバイトまで製品化する他、11.5×13mmサイズの128Gバイト品などもそろえる。(2014/10/2)


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にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。

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