FinFETプロセスをめぐる技術開発は競争激化へ：プロセス技術（2/2 ページ）

[Rick Merritt，EE Times]

SamsungとTSMCは、ほぼ互角

　Samsungは「Mobile World Congress（MWC）2015」（スペインバルセロナ、2015年3月2〜5日）において、同社にとって初となる14nm FinFET適用アプリケーションプロセッサ「Exynos」を搭載した最新スマートフォン「Galaxy S6」を発表している。ある情報筋は2015年初頭に、「SamsungはFinFETプロセス技術において、TSMCの先を行っている」と明かしていたが、最新情報をみると、両社はほぼ互角で、激しい接戦を繰り広げていることがよく分かる。

「Galaxy S6」

　Synopsysでシニアマーケティングディレクタを務めるSaleem Haider氏は、「2〜3年前までは、プロセス技術開発においてIntelがはるか先を進み、ファウンドリ各社がそれに追い付こうと懸命に努力していた。しかし現在では、こうした差が縮まってきている。FinFETプロセスに関しては、顧客企業各社が製造設計において当社にサポートを求める段階に入ったところだ」と述べる。

　White氏は、「リソグラフィによるダブルパターニング技術のニーズについては、2005年頃に既に始まっていた20nmプロセスチップの設計において、大半の問題が解決されている。10nmプロセスになると、ファウンドリ各社は、セルフアライン（自己整合）方式のダブルパターニングを選ぶか、またはトリプルパターニングを選ぶかで分かれていくだろう」と述べている。

【翻訳：田中留美、編集：EE Times Japan】

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