東芝は2015年3月26日、「BiCS」と呼ぶ3次元積層構造を用いたNAND型フラッシュメモリ(以下、3D NAND)を開発し、同日サンプル出荷を開始したと発表した。
東芝は2015年3月26日、「BiCS」と呼ぶ3次元積層構造を用いたNAND型フラッシュメモリ(以下、3D NAND)を開発し、同日サンプル出荷を開始したと発表した。セル当たり2ビットのデータを記憶するMLC品で容量は128Gビット(16Gバイト)。
メモリセルを垂直に積層する3D NANDは、微細加工技術に頼らず、記録密度を向上できる技術として、各NANDメモリメーカーが開発を進めてきた。2013年には、サムスン電子が24層構造の128Gビット容量の3D NANDを世界で初めて製品化。サムスンは翌2014年にも、32層構造の3D NAND(128Gビット容量)を製品化し先行していた。
東芝が開発した3D NANDは、サムスンの現行3D NAND製品を上回る48層の積層構造を実現。現行製品と比べて書き込み速度の高速化、書き換え寿命などの信頼性向上を実現しているという。
東芝は、2015年夏の一部完成を目指して3D NAND専用製造設備を導入する新製造棟(新・第2製造棟)を建設中で、開発した製品についても同製造棟で生産を行う予定だ。
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