ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演（2）〜解像度と位置合わせ、生産性：SEMICON West 2015リポート(9)（2/3 ページ）

[福田昭，EE Times Japan]

重ね合わせ誤差を1年で半分〜3分の1に低減

　それから講演者のResnick氏は、ナノインプリント・リソグラフィを構成する要素技術の開発状況を説明した。最初は、重ね合わせ（テンプレートとウエハーの位置合わせ）技術の開発が過去から、どの程度の進展を見せたかを述べた。

　重ね合わせの誤差は、2012年には32nmもあった。それが2013年には15nmと、前年の半分以下に減った。昨年（2014年）には前年の3分の1に相当する4.8nmにまで減少した。この間に、テンプレートを透過して位置を合わせる技術の開発、ウエハー固定治具の平坦度を向上、ウエハー温度制御機構の導入、といった改良を実施してきた。

重ね合わせ（オーバーレイ）誤差の推移。1年で半分〜3分の1と過去3年で急速に誤差を下げてきた（クリックで拡大）

重ね合わせ（オーバーレイ）誤差の主な低減手法とウエハー面内における誤差のマップ（クリックで拡大）

　特に、4.8nmの重ね合わせ誤差を達成した最新の成果は、ウエハー面内の誤差マップなどのデータを詳しく示した。ArF液浸露光装置でパターンを形成したウエハー（直径300mm）と、ナノインプリント技術で形成したパターンの重ね合わせによる測定結果である。露光領域の数は84カ所で、1つの露光領域当たりで25カ所の重ね合わせ誤差を測定した。水平方向（X方向）の重ね合わせ誤差（平均値と3σ値の合計）は4.2nm、垂直方向（Y方向）の重ね合わせ誤差（平均値と3σ値の合計）は4.8nmだった。

4.8nmの重ね合わせ（オーバーレイ）誤差を達成したウエハーの面内誤差マップと測定結果、測定条件の概要（クリックで拡大）