産総研によると、これまで、他グループより報告されているフォトリソグラフィー法で作製した光ナノ共振器の最高Q値は、20万程度だったという。また、200万以上のQ値は、電子線リソグラフィー法を用いた場合でも、そのハードルは高く、実現に成功しているのは、京都大学と大阪府立大の共同グループのみだったとしている。
今回100万以上の高いQ値を持つ光ナノ共振器を、工業生産に適したフォトリソグラフィー法による作製に成功したことから、現在、応用が検討されているQ値1万から同100万以上までのさまざまな光ナノ共振器で工業化に向けた大きな課題が取り除かれたことになる。
産総研では「シリコンフォトニック結晶は、高Q値光ナノ共振器だけでなく、太陽電池、熱輻射光源、熱電発電などの応用も活発に研究されている。研究成果を発展させていくことで、これらの応用においてもフォトリソグラフィー法を用いた大量生産が可能になると期待される。今後、研究グループでは、産総研SCRの利用を国内の研究者にはたらきかけていく予定。国内のフォトニクス研究者の連携を強化することで、フォトニック結晶、シリコンフォトニクス技術に基づく新たなフォトニクス産業の創出が期待される」としている。
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