DRAMについて知っておくべき、4つのこと：福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待（10）（4/4 ページ）

» 2016年03月23日 09時30分公開

[福田昭，EE Times Japan]

鈍化する記憶容量の増加ペース

　高速化以外には、大容量化の坂道がある。1990年代まで、DRAMは世代交代ごとに記憶容量を前世代の4倍に増やしてきた。例えば1Mビット品の次は、4Mビット品が開発され、製品化された。

　しかし2000年代に入ると、世代交代ごとの記憶容量の増加ペースは2倍に低下した。例えば1Gビット品の次は、2Gビット品が開発され、製品化された。大容量化のペースは遅くなった。

　2015年末現在では、大容量化のペースはさらにゆっくりになろうとしている。4Gビット品の次は8Gビット品が製品化された。8Gビット品が現行製品の最大容量である。8Gビット品の次は16Gビット品ではなく、12Gビット品が開発されるとみられている。世代交代ごとの記憶容量の増加は2倍から、1.5倍へと低下する。

DRAMの大容量化の推移（シリコンダイ当たりの記憶容量の推移）（クリックで拡大）出典：ARM

（次回に続く）

⇒「福田昭のデバイス通信」連載バックナンバー一覧

システム設計の要諦は電力管理
今回から、2015年12月に開催された「IEDM2015」でARM Researchが講演した、メモリ技術の解説をお届けしよう。まずは、システム設計が抱える課題から紹介していきたい。
メモリ・アーキテクチャの基礎
今回は、NANDフラッシュメモリ登場後のメモリ・アーキテクチャを見ていきながら、「CPUのメモリに対する要求」を考えていく。
仮想記憶（仮想メモリ）の基礎
今回は、仮想メモリの仕組みを詳しく解説していこう。仮想メモリの概要と、これを採用したシステムについて見てみたい。
DRAM市場は安定の時期に、激しい需給変動は終わる
Samsung、SK hynix、Micron Technologyの3社でシェアのほとんどを占めるDRAM市場。PC以外からの需要も増えてきて、需要と供給の変動が激しい時期は終わり、安定した市場になりつつある。