GFの7nm FinFETプロセス、2018年にも製造開始へ：ギガビット未満の混載MRAMもサポート（1/3 ページ）

GLOBALFOUNDRIES（GF）が、7nm FinFETプロセスの開発計画を発表した。2018年後半には同プロセスでの製造を開始する予定だという。さらに、同じく2018年には、22nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）プロセスで製造するチップにおいて、ギガビット未満の低容量の混載MRAM（磁気抵抗メモリ）をサポートする予定だ。

[Rick Merritt，EE Times]

IBMから受け継いだ技術

　GLOBALFOUNDRIESが、7nm FinFETプロセスの開発計画を発表した。既存の14nmプロセス適用チップと比べて、最大30％の性能向上と、60％の低消費電力化を実現できる見込みだという。2018年後半には7nm FinFETプロセスの製造を開始する予定で、既存の光リソグラフィだけを使用し、フィンピッチを約30nmに縮小することが可能だとしている。

　同社は2018年に、22nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）プロセスで製造するチップで、ギガビット未満容量の混載MRAM（磁気抵抗メモリ）をサポートする予定だとしている。このメモリ技術は、Everspin Technologiesからライセンス供与を受けたもので、既存の組み込みフラッシュメモリと比べて、書き込み速度の向上と低消費電力化、ダイサイズの縮小などを実現可能だという。

GLOBALFOUNDRIESのプロセス技術のロードマップ 出典：GLOBALFOUNDRIES

　GLOBALFOUNDRIESは、2016年9月15日（米国時間）に開催した約500社の顧客企業とのミーティングにおいて、今回のニュースを発表した。同社は今後、TSMCなどの大手ライバル企業に対する競争力を高めていくことになる。7nm FinFETとFD-SOIはいずれも、GLOBALFOUNDRIESが2015年7月に正式に統合した、IBMの半導体グループから、主に受け継いだ技術である。

　GLOBALFOUNDRIESのCEO（最高経営責任者）を務めるSanjay Jha氏は、「当社は今回、初めてロードマップの差別化を行った。独自の視点から今後の市場動向を展望し、それに対応するための技術を開発していく考えだ」と述べている。同氏は、かつてQualcommやMotorola Mobilityで経営幹部を務めた経歴を持ち、3年ほど前にGLOBALFOUNDRIESの現職に就いた。

　Jha氏は2016年9月14日に、報道関係者やアナリストたちとのミーティングの中で、「私はかつて、長年にわたり、TSMCの最大顧客だった時期を経験している。GLOBALFOUNDRIESは現在、TSMCと全く同じ位置付けにあるとはいえないが、当社が著しい進展を遂げているという事実を、顧客企業も認識し始めたのではないだろうか」と述べている。

　同氏は、「GLOBALFOUNDRIESは、AMDやIBM、Chartered Semiconductorなどから引き継いだ全ての工場を統合化していく上で、まだ道半ばにある。例えば、ファイル命名規則などの簡単なものでさえ、工場ごとに異なるという状況にある」と述べる。