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NFCマッチング回路に最適、磁気飽和の影響軽減：小型・高密度実装に対応

村田製作所は、近距離無線通信（NFC）モジュールに向けたチップインダクター「LQM18JN」シリーズの量産を2017年1月より始めた。

» 2017年01月30日 13時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

インダクタンス偏差は±5％

　村田製作所は2017年1月、近距離無線通信（NFC）のマッチング回路に適したチップインダクター「LQM18JN」シリーズの量産を始めた。

チップインダクター「LQM18JN」シリーズの外観

　スマートフォンなどの電子機器でNFC機能を搭載した製品が増加している。対応する機器同士をタッチさせることで、簡便に機器間のデータ通信を可能とするからだ。NFC通信回路には、無線回路の感度低下を防止するため、インピーダンスマッチング回路を設ける。この回路にチップインダクターが用いられる。

　ところが一般的なマッチング用インダクターでは、マッチング回路に大きな電流が流れるとインダクタンスが低下する「磁気飽和」現象が発生し、マッチングの精度が低下する可能性があるという。

　これに対して、LQM18JNシリーズは、磁気飽和の影響を受けにくい設計とした。また、閉磁路構造を採用しており、機器への組込みで高密度実装を行っても、周辺部品との干渉が生じにくいという。NFC回路も小型化することが可能となる。

　LQM18JNシリーズは、外形寸法が1.6×0.8mmで厚みは0.55mmである。新製品はインダクタンス（公称値）が100nHの「LQM18JNR10J00」、同120nHの「LQM18JNR12J00」、同160nHの「LQM18JNR16J00」と、3製品を用意した。いずれもインダクタンス偏差は±5％である。

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