3D NANDフラッシュの競争は激化へ
Micron Technologyは「ISSCC 2016」で、3ビット/セルのフローティングゲート方式を適用した、768Gビットの3次元(3D)NAND型フラッシュメモリを発表した。読み出し速度は、800Mバイト/秒だという。3D NANDフラッシュの競争が激化することが予想される。
ISS 2017で語られた半導体技術の今後(前編)
米国で開催された「Industry Strategy Symposium(ISS)」(2017年1月8〜11日)では、半導体技術の今後に関する議論が幾つか展開された。ナノワイヤトランジスタやGAA(Gate All Around)トランジスタといった次世代トランジスタ技術や、増加の一途をたどる設計コストなどについて、専門家たちが見解を披露している。