STT-MRAM採用のストレージアクセラレーター：Everspinが発表

MRAM（磁気メモリ）を手掛けるEverspin Technologiesが、STT-MRAM（スピン注入磁化反転型磁気メモリ）を採用したストレージアクセラレーターを発表した。同社にとって初となる、システムレベルのMRAM製品だという。

[Dylan McGrath，EE Times]

STT-MRAMを採用したストレージアクセラレーター

　MRAMチップメーカーであるEverspin Technologies（以下、Everspin）は2017年3月8日（米国時間）、STT-MRAM（スピン注入磁化反転型磁気メモリ）を採用したストレージアクセラレーター「nvNITRO」の製品シリーズを発表した。

　現在まだ発展途上である、STT（スピン注入磁化反転）技術をベースとした高密度MRAMデバイス市場を成長させるための取り組みの一環として、同社にとって初となるシステムレベルの製品シリーズを実現したという。

　Everspinによれば、nvNITROシリーズは、読み書き速度が大幅に向上し、低遅延を実現するという。同社は、「まずは256MビットのDDR3 STT-MRAMをベースとし、容量1GBおよび2GBのnvNITROを用意する。2017年後半には、当社が近々発表する予定の1GビットDDR4 STT-MRAMをベースとし、容量が4GBから最大16GBまでの製品を提供する予定だ」と述べている。

「nvNITRO」

　Everspinでプロダクトマーケティング担当ディレクターを務めるJoe O'Hare氏は、EE Timesのインタビューに応じ、「当社にとっては、従来と異なる方法で自社技術を市場に投入するという、全く新しい道を進んでいくことになる。だからといって、メモリチップの市場供給を止めるわけではない。今後も、メモリチップが当社の主要事業であることに変わりはない」と述べる。

　Everspinは、商用MRAM製品を出荷している業界唯一のメーカーである。同社は、まだFreescale Semiconductorの一部門だった2006年当時に、MRAMの出荷を開始し、これまでに6000万個以上のMRAMデバイスを出荷してきたという。

　しかし、同社がこれまでに出荷した製品の大半に適用されている第1世代のMRAM技術は、トグル方式のMRAM技術を採用しているため、16Mビット超の容量を実現することは難しい。

　同社の第2および第3世代のMRAMは、スピン注入型であり、最近ではpMTJ（垂直磁気トンネル接合）素子を用いたSTT-MRAMも手掛けていて、2016年8月に製品を発表している。

　MRAM技術の開発は、HDD業界で1990年代から使われてきた磁気技術と同じものをベースに、1990年代から始まった。DRAMやNAND型フラッシュメモリは、半導体業界において確固たる地位を確立したものの、業界全体が更なる微細化の実現へと向かう中で、非常に困難な課題に直面するようになった。そこでMRAMが、DRAMやNAND型フラッシュメモリを置き換え可能な次世代メモリ候補とされる、いくつかの新技術の中の1つとして浮上してきたのだ。

　これまで長年にわたり、IBMやIntel、Samsung Electronicsなどの半導体最大手をはじめとする数々の企業が、程度の差はあれMRAM技術の開発に取り組んできた。現在では、Avalanche TechnologyやSpin Transfer Technologiesのように、pMTJ素子を採用したSTT-MRAMの開発を手掛けるスタートアップ企業もある。Spin Transfer Technologiesは2017年初頭に、製品のサンプル出荷を開始した。

【翻訳：田中留美、編集：EE Times Japan】

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