NTT、小型で低損失の光変調器を開発：変調効率は従来の約10倍（2/2 ページ）

[馬本隆綱，EE Times Japan]

製造プロセスも工夫

　InGaAsP MOS界面の作製と、異種材料集積を行うときの製造プロセスも工夫した。電子サイクロトロン共鳴スパッタによる平たんな絶縁膜の形成や、酸素プラズマ照射によるシリコンとInGaAsPの絶縁膜を介した直接接合などを行った。これらの技術により、シリコンフォトニクス技術との親和性を保ちつつ、高効率と低損失を同時に達成した光変調器を開発することができたという。

MOS界面の形成と酸素プラズマアシスト接合のイメージ図 出典：NTT

100GbEにも適用可能

　作製したMZMは、変調効率を表す半波長電圧と変調領域の長さの積が0.09Vcmである。この数値は、シリコンの「キャリア引抜型」光変調器に比べて約10倍の効率だという。その上、位相変調領域長が0.25mmの素子で、挿入損失1dB（透過率約80％）の低損失を達成している。さらに、32Gビット/秒の変調を行い、100Gビットイーサネット（100GbE）にも適用可能なことを確認したという。

高速変調実験で、32Gビット/秒動作を確認 出典：NTT

　NTTは今後、開発した複数のMZMと光フィルターの集積化が比較的低コストで行え、伝送容量が1ポート当たり1Tビットを上回る送信機を実現することも可能になるとみている。データセンターにおける消費電力の低減にも期待できるという。