京セミ、変調帯域40GHzのフォトダイオード開発：PAM4を利用した400Gbps伝送向け

京都セミコンダクターは、変調帯域40GHzを実現したインジウムガリウムヒ素フォトダイオード（InGaAs-PD）「KP-H KPDEH12LC-CC1C」を開発した。「Beyond 5G」を見据えた製品で、4値変調方式（PAM4）を利用した伝送速度400Gビット/秒の伝送システムに対応する。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

キャリア形状や電極パターンを最適設計

KPDEH12LC-CC1Cの外観

　京都セミコンダクターは2020年6月、変調帯域40GHzを実現したインジウムガリウムヒ素フォトダイオード（InGaAs-PD）「KP-H KPDEH12LC-CC1C」を開発したと発表した。「Beyond 5G」を見据えた製品で、4値変調方式（PAM4）を利用した伝送速度400Gビット/秒の伝送システムに対応する。

　新製品は、40GHzのPD変調帯域を実現するため、電磁シミュレーションを活用し、PDチップを搭載する基板（キャリア）の形状や、高周波特性に優れた電極パターンを最適化した。搭載するPDチップは、通信機器の信頼性試験標準基準「Telcordia GR-468-Core」に適合しているという。

　キャリアの外形寸法は0.6×0.48×0.25mmで、PDチップに比べ約2倍の面積としたことで、取り扱いが簡単になった。また、PDチップの裏面には集光レンズを形成し、入射光を効率よく吸収層に集光できるようにした。このため、光ファイバーとPDの位置合わせなども容易だという。

　新製品は、2020年11月から量産を始める予定である。