魁半導体、加熱機構搭載の真空プラズマ装置を発売：加熱で最大2倍の処理効果を実現

魁半導体は、真空プラズマ装置「プラズマエッチャーCPEシリーズ」として、新たにステージ加熱機構を搭載した「CPE-200AHM」の販売を始めた。加熱しない場合に比べて最大2倍の処理効果が得られるという。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

半導体製造工程においてレジストの除去を効率化

　魁半導体は2021年9月、真空プラズマ装置「プラズマエッチャーCPEシリーズ」として、ステージ加熱機構を搭載した「CPE-200AHM」を新たに開発、販売を始めた。基材を温めてプラズマ処理を行うことにより、加熱しない場合に比べて最大2倍の処理効果が得られるという。

CPE-200AHMの外観

　プラズマエッチャー加熱機構付のCPE-200AHMは、基材を設置する電極ステージのサイズが直径200mmで、このステージを最高400℃まで加熱することができる。同社はCPE-200AHMの処理効果を評価した。実験では、スライドガラス表面を油性ペンで塗り、これを基材として用いた。そして、あらかじめステージを300℃に加熱した場合と、加熱していない場合の効果を比べた。

　それぞれの基材にプラズマ照射し、塗膜をアッシング除去して一定時間ごとに重量を測定した。この結果、30秒照射した後の除去量は、300℃に加熱した方が約2倍になることを確認した。

　CPE-200AHMは外形寸法が560×690×1650mmで、価格（税別）は1600万円である。半導体製造工程におけるレジスト除去の効率化や、Oリングなどプラズマ耐久性評価試験における時間短縮などが可能になる。