耐圧1200VのSiC FET、低いオン抵抗×面積を実現：Qorvo／UnitedSiCの第4世代品（2/2 ページ）

[村尾麻悠子，EE Times Japan]

自動車分野がけん引する1200V SiCパワーデバイス

　Dries氏は、「1200VのSiCパワーデバイスは、バス電圧が800Vのシステムへと移行が進む自動車市場の成長の恩恵を受けている。トラクションインバーター、DC-DCコンバーター、OBC（オンボードチャージャー）などの用途で展開される」と述べる。

Qorvoの1200V SiC FETをOBCのフロントエンドに採用した場合の、Gen4のメリット［クリックで拡大］ 出所：Qorvo

　1200V Gen4 SiC FETの参考価格（1000個購入時）は、70mΩ／TO-247-3Lパッケージ品が6.92米ドル、23mΩ／TO-247-4Lパッケージ品が17.13米ドルとなっている。

　Gen4 SiC FETは、米国のファウンドリーを使用し、150mm SiCウエハーにて製造される。Qorvoの傘下となったため、今後量産規模が増える場合については、Qorvoの自社ファブ活用についても、柔軟に考えていくとDries氏は述べる。「常に、最適なオプションを用意していきたい」（同氏）

“パワープレイヤー”として認知されるようになってきたQorvo／UnitedSiC

日本代表を務める望月靖志氏

　Qorvo パワーデバイスソリューションズ部門の日本代表を務める望月靖志氏は、「EV（電気自動車）、大型サーバ、産業機器などで大電力化が急速に進んでいて、それに伴いSiC市場は加速的に成長している」と述べる。Infineon TechnologiesやSTMicroelectronics、ロームなどの競合に比べ、「日本での知名度はまだ低いが、UnitedSiC／Qorvoの技術は、他社にはないほど最先端であり、国内からの関心は強いと感じている」と同氏は続ける。「最先端というのは、単位面積当たりのR_DC（ON）が低いということ。面積を抑えつつ低いR_DC（ON）を実現できるUnitedSiCのアーキテクチャは、他社に対して圧倒的に強みを持つ技術だ。国内販売代理店（マクニカ）や本社のWebサイトへのアクセス数も右肩上がりで、国内での知名度は上がってきているのではないか」（望月氏）

　Dries氏も、「Qorvoは性能面、サポート面でも強く、この分野でのパワープレイヤーとして知られるようになっている」と述べた。