フラッシュメモリ、NOR型に続いてNAND型が表舞台に（1980年代後半）：福田昭のストレージ通信（221） フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表（5）（2/2 ページ）

[福田昭，EE Times Japan]

インテルが「フラッシュ（Flash）」の呼称を積極的に使用

　1985年には2月に東芝が256KビットのNORフラッシュチップを国際学会ISSCCで発表した。同年12月の国際学会IEDMでは、シークテクノロジー（SEEQ Technology）が256KビットのNORフラッシュ技術、エクセルマイクロエレクトロニクスが512KビットのNORフラッシュ技術を発表する。興味深いことに、この2社は講演タイトルに「フラッシュ」の表記を使用していない。

　東芝以外の半導体メモリ企業で「フラッシュ（Flash）」の名称を使用したのはインテルである。インテルは標準型EEPROM（バイト単位の書き換えが可能なEEPROM）の開発をほぼ休止し、不揮発性メモリの開発資源をフラッシュメモリに集中した。1988年には、256Kビットの「フラッシュメモリ」を開発し、製品化する。「フラッシュ」あるいは「フラッシュメモリ」の名称を普及させたのは、インテルだとも言えよう。

フラッシュメモリと不揮発性メモリの主な出来事（1985年〜1988年）。なお本表から、「フラッシュEEPROM」の表記を「フラッシュメモリ」に改めた［クリックで拡大］

　1987年には東芝がNAND型のフラッシュメモリを国際学会IEDMで発表した。NAND型では、2層多結晶シリコンゲートのセルトランジスタを縦に接続してある。セル面積をNOR型と比べて大幅に小さくした。データ書き換えの原理はNOR型とは異なり、書き込みと消去の両方にFNトンネリングを採用した。

　1988年にはフラッシュメモリの歴史で最も成功したベンチャー企業が設立される。ヒューズエアクラフトで不揮発性メモリの研究開発に携わっていたEli Harariらがフラッシュメモリ応用品の開発企業「サンディスク（SunDisk、後にSanDiskに改称）」を創業したのだ。

⇒（次回に続く）

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