12インチウエハーを用いてSiパワー半導体チップを量産 : モジュール組み立て工程に供給開始
三菱電機は、パワーデバイス製作所福山工場の12インチSiウエハー対応ラインで製造したパワー半導体チップの本格出荷を始めた。同社は「2025年度までにSiパワー半導体の前工程における生産能力を、2020年度に比べ約2倍とする」中期計画に取り組んでいる。
三菱電機は2024年9月30日、パワーデバイス製作所 福山工場(広島県福山市)の12インチSiウエハー対応ラインで製造したパワー半導体チップの本格出荷を始めた。同社は「2025年度までにSiパワー半導体の前工程における生産能力を、2020年度に比べ約2倍とする」中期計画に取り組んでいる。
パワーデバイス製作所福山工場は2021年11月に稼働し、2022年4月から8インチSiウエハー対応の生産ラインで、Siパワー半導体チップの量産を始めた。2023年8月には12インチSiウエハー対応生産ラインの導入が完了し、量産開始に向けて準備を進めてきた。福山工場で製造されたパワー半導体チップは、出荷先の組立工程に送られて、モジュール製品に仕上げられる。
8インチSiウエハー対応生産ラインに加え、12インチSiウエハー対応生産ラインの本格稼働により、最新Siパワー半導体モジュールの需要増に対応し、迅速かつ安定的にモジュール製品の供給が可能となる。
左は12インチSiウエハーのダイシング工程、右は12インチSiウエハーおよび、8インチSiウエハーを用いて製造したパワー半導体チップ[クリックで拡大] 出所:三菱電機
パワー半導体は電力を効率よく変換できるため、需要が拡大している。中でもSiパワー半導体は電気自動車(EV)や民生機器、産業用機器、再生可能エネルギー、鉄道車両などの用途で活用されている。
初の車載SiCモジュールで市場展開を加速、三菱電機
三菱電機は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、モールドタイプのxEV用インバーター用パワー半導体モジュール「J3」シリーズや、鉄道および直流送電などの大型産業機器向けのSBD内蔵SiC MOSFETモジュールなど、各分野向けに開発した新製品を紹介していた。
200Gbpsの受信用光デバイスを24年内量産へ、三菱電機
三菱電機は2024年8月20日、データセンター向け光トランシーバーに搭載する受信用光デバイスの新製品として、800Gbps/1.6Tbps光ファイバー通信用の200Gビット/秒 pin-PD(Photo Diode)チップ「PD7CP47」を発表した。2024年内の量産開始を見込む。
Ka帯衛星通信に対応、GaN MMIC電力増幅器を開発
三菱電機は、Ka帯(26.5〜40GHz)対応の衛星通信(SATCOM)地球局用送信器に向けて「GaN MMIC電力増幅器」2製品を開発した。大容量通信への対応と、衛星通信地球局の小型化、低消費電化を視野に入れる。
出力電力16WのGaN電力増幅器モジュールを開発
三菱電機は、5G(第5世代移動通信)のmassive MIMO基地局用GaN電力増幅器モジュールとして、平均出力電力が16W(42dBm)の「MGFS52G38MB」を開発、サンプル出荷を始めた。32T32R massive MIMOアンテナに適した製品で、massive MIMO基地局用装置のコスト削減や消費電力低減、通信距離の延長が可能となる。
三菱電機、インバーター試作機の設計情報を提供
三菱電機は、産業用LV100タイプIGBTモジュールを用いたインバーターシステムの開発を支援するための情報提供を、2024年6月28日より始める。システム設計に必要な情報やパワー半導体の検証データなどを、同社ウェブサイトなどで提供していく。
DUVレーザーで半導体基板に直径3μmの穴あけ加工
東京大学と味の素ファインテクノ、三菱電機、スペクトロニクスの4法人は、深紫外(DUV)レーザー加工機を用い、半導体基板の層間絶縁膜に直径3μmという微細な穴あけ加工を行う技術を開発した。次世代チップレットの製造工程などに適用していく。
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