8インチSiCウエハーのパワー半導体を25年1Qに出荷、Infineon：フィラッハ工場から

Infineon Technologies（以下、Infineon）は2025年2月13日（ドイツ時間）、200mm 炭化ケイ素（SiC）ウエハープロセスで製造した最初の製品を2025年第1四半期（1〜3月：1Q）に顧客に供給すると発表した。オーストリア・フィラッハ工場で製造する。

[永山準，EE Times Japan]

　Infineon Technologies（以下、Infineon）は2025年2月13日（ドイツ時間）、200mm 炭化ケイ素（SiC）ウエハープロセスで製造した最初の製品を2025年第1四半期（1〜3月）に顧客に供給すると発表した。オーストリア・フィラッハ工場で製造する。

Infineonの200mm SiCウエハー［クリックで拡大］ 出所：Infineon Technologies

　出荷を開始するのは、再生可能エネルギーや鉄道、電気自動車などの高電圧アプリケーション向け製品だという。同社はフィラッハ工場の他、マレーシア・クリムの拠点でも200mm SiCウエハー対応工場を新設するなど、SiCの200mmウエハー移行を進めている。同社は、クリム拠点について「150mmウエハーから200mmウエハーへの以降が完全に軌道に乗っている。新設されたモジュール3は市場の需要に合わせた量産を開始する準備が整っている」などと説明している。

　Infineonの最高執行責任者（COO）であるRutger Wijburg氏は「SiC生産の実行は計画通りに進んでいる。フィラッハとクリムで段階的にSiC生産を立ち上げることで、コスト効率を改善し、製品品質を確保し続けている。同時に、当社の製造能力がSiCベースのパワー半導体の需要を確実に満たせるようにしている」とコメントしている。