メディア

8インチSiCウエハーのパワー半導体を25年1Qに出荷、Infineon：フィラッハ工場から

Infineon Technologies（以下、Infineon）は2025年2月13日（ドイツ時間）、200mm 炭化ケイ素（SiC）ウエハープロセスで製造した最初の製品を2025年第1四半期（1～3月：1Q）に顧客に供給すると発表した。オーストリア・フィラッハ工場で製造する。

» 2025年02月14日 12時30分公開

[永山準，EE Times Japan]

　Infineon Technologies（以下、Infineon）は2025年2月13日（ドイツ時間）、200mm 炭化ケイ素（SiC）ウエハープロセスで製造した最初の製品を2025年第1四半期（1～3月）に顧客に供給すると発表した。オーストリア・フィラッハ工場で製造する。

Infineonの200mm SiCウエハー［クリックで拡大］出所：Infineon Technologies

　出荷を開始するのは、再生可能エネルギーや鉄道、電気自動車などの高電圧アプリケーション向け製品だという。同社はフィラッハ工場の他、マレーシア・クリムの拠点でも200mm SiCウエハー対応工場を新設するなど、SiCの200mmウエハー移行を進めている。同社は、クリム拠点について「150mmウエハーから200mmウエハーへの以降が完全に軌道に乗っている。新設されたモジュール3は市場の需要に合わせた量産を開始する準備が整っている」などと説明している。

　Infineonの最高執行責任者（COO）であるRutger Wijburg氏は「SiC生産の実行は計画通りに進んでいる。フィラッハとクリムで段階的にSiC生産を立ち上げることで、コスト効率を改善し、製品品質を確保し続けている。同時に、当社の製造能力がSiCベースのパワー半導体の需要を確実に満たせるようにしている」とコメントしている。

SiC市場は「従来より厳しい局面が続く」ローム、EV失速で
ロームの2024年度第3四半期累計（2024年4～12月）の連結業績は、売上高が前年同期比3.0％減の3446億4200万円、営業利益が110億8000万円の赤字、純利益が同99.5％減の2億1000万円となった。
InfineonがマレーシアのSiC新工場を開所　24年内に出荷へ
Infineon Technologiesは2024年8月8日（マレーシア時間）、マレーシア・クリムの200mm SiC（炭化ケイ素）ウエハー新工場のオープニングセレモニーを開催した。2024年内にもウエハー出荷を開始する予定だ。
AIサーバ向け特化品も、第2世代SiC MOSFETを拡充するInfineon
2024年3月に第2世代のSiC MOSFET製品を発表し、続々と製品ラインアップを拡充。市場シェア拡大に向けた取り組みを加速するInfineon Technologies。今回、同社グリーンインダストリアルパワー部門フェローを務めるPeter Friedrichs氏に、最新製品の特長や市場の展望などを聞いた。
2023年SiCパワーデバイス世界売上高ランキング、首位はST
市場調査会社のTrendForceはSiCパワーデバイス市場についての調査を発表した。それによると、2023年の市場シェアはSTMicroelectronicsが32.6％を占めて首位となり、onsemiは23.6％で前年の4位から2位に浮上した。続くInfineon Technologies、Wolfspeed、ロームを含めた上位5社が総売上高の91.9％を占めていたという。
Infineon、マレーシアに200mmウエハーSiC工場新設へ
Infineon Technologiesは、マレーシア・クリム拠点への投資を大幅に拡大し、「世界最大」（同社）の200mmウエハーSiC工場を新設する計画を発表した。今後5年で最大50億ユーロの追加投資を行う予定だ。
電力損失15％減、三菱電機が第8世代IGBT搭載産業用モジュールを公開
三菱電機は「第39回ネプコンジャパン -エレクトロニクス開発・実装展-」に出展。パワーデバイス事業の戦略を紹介したほか、開発中の8インチSiC-MOSFETウエハーや新開発の第8世代IGBTを搭載した産業用モジュールを展示した。