SK hynixの決算、2四半期連続で売上高と営業利益が過去最高を更新：福田昭のストレージ通信（283）（2/2 ページ）

[福田昭，EE Times Japan]

NANDフラッシュの平均価格が前期比で10％超の上昇

　SK hynixの主力製品はDRAMとNANDフラッシュメモリである。2025年度第3四半期（2025年7月〜9月期）の売上高に占めるDRAMの割合は前期比1ポイント増の78％、NANDフラッシュメモリの割合は同1ポイント減の20％となった。金額そのものは両者とも前期比で増加した。

　DRAMの平均販売価格は前期比で5％前後（mid-single digit）上昇し、ビット換算出荷量は前期比で7〜8％前後（high single digit）伸ばした。NANDフラッシュメモリの平均販売価格は前期比で12〜13％前後（low teen digit）上昇し、ビット換算出荷量は前期比で5％前後（mid-single digit）減少した。

DRAMとNANDフラッシュメモリの売上高推移と用途別比率の推移［クリックで拡大］ 出所：SK hynix（2025年10月29日に公表された連結決算概要のプレスリリースから）

　製品別のハイライトはHBM、DRAM、NANDフラッシュメモリに分けて説明した。HBM（超高速DRAMモジュール）では、主要顧客と2026年の供給に関するディスカッションを完了した。「HBM4」の量産出荷は2025年第4四半期に始める。2026年には出荷量を拡大する。

　DRAMでは、さらに微細化を進めた1c（1γ）nmノードの製品系列をそろえるほか、2026年は顧客の要望に応じて供給量を増やす。1c（1γ）nmノードの量産立ち上げは円滑に進行しており、2026年は同ノードへの移行を加速させる。

　NANDフラッシュメモリでは、321層の3D NANDフラッシュ製品を顧客の需要に応じる形で導入する計画である。フラッシュ応用品では、エンタープライズ向けSSD（eSSD）の需要が増加していることから、eSSDの供給を優先させる。

　通年ベースのDRAMビット換算需要（前年比）は、2025年が17〜18％（high teen digit）の成長と推定し、2026年は20％を超える成長率を予測する。NANDフラッシュのビット換算需要（前年比）は、2025年が15％前後（mid-teen digit）の成長と推定し、2026年は17〜18％（high teen digit）の成長と予測した。

（次回に続く）

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