競争が激化するHBM市場。今回のCESでは、同市場で現在『王者』の座にいるSK hynixが、開発中の16層HBM4の実物および主要スペックを初公開し、そのリードを印象づけました。
この記事は、2026年1月13日発行の「電子機器設計/組み込み開発 メールマガジン」に掲載されたEE Times Japan/EDN Japanの編集担当者による編集後記の転載です。
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2026年に入り、早くも1週間余りが経過しました。読者のみなさま、本年もどうぞよろしくお願いいたします。さて、1月といえば、米国ネバダ州ラスベガスで開催される世界最大級のテクノロジー展示会「CES」です。AIブームが引き続き加熱する中、ことしも会場ではAIを軸にした新たな製品/技術が数多く披露されました。
半導体業界においてこのAIブームの主役として挙げられるのはNVIDIAですが、そのGPUに欠かせない広帯域メモリ(HBM)を供給するメモリ業界では、現在SK hynix、Samsung Electronics(以下、Samsung)、Micron Technology(以下、Micron)の3社が熾烈な競争を繰り広げています。今回のCESでは、そのHBM市場で現在『王者』の座にいるSK hynixが、次世代製品である16層のHBM4の実物および主要スペックを初公開し、リードを印象づけました。
SK hynixは2022年にHBM3を業界に先駆けて量産化し、2024年には8層/12層のHBM3Eの量産化も相次いで発表。NVIDIAの主要サプライヤーとしてHBM市場で圧倒的なシェアを獲得してきました。こうした勢いを背景にSK hynixは2025年第1四半期にDRAM市場全体でもSamsungを抜きトップの座に就き、続く第2、第3四半期もその地位を維持しています(TrendForce調べ)
2026年のHBM市場の主流は依然としてHBM3Eで、市場全体の約3分の2を占めるという予測もあります。ですがNVIDIAの次世代AIプラットフォーム「Rubin」の登場を契機に、HBM4が次の主戦場として立ち上がっていく見込みです。SK hynixはこのHBM4においても、2025年9月に「世界で初めて」(同社)12層品の量産体制を構築したと発表し、同分野におけるリードをアピール。SK hynixが2026年1月5日に公開したブログでは、同社が2026年にRubin向けHBM4市場で約70%の市場シェアを獲得するというUBSの予測を示しつつ「当社の現在のリーダーシップが将来の技術世代にも引き継がれることを示している」などと説明しています。
CESで繰り広げられたHBM4開発競争 Samsungも巻き返しアピール
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「標準化を待てず」 HBMで変わるメモリ技術サイクルCopyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
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