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ニコンが展望する10nm以下のリソグラフィ技術(後編)SEMICON West 2015リポート(3)(3/3 ページ)

» 2015年08月13日 11時30分 公開
[福田昭EE Times Japan]
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EUVのコストはArF液浸のコストと変わらない

 計算の結果、いずれの技術でも(当然ながら)減価償却の割合が大きく、次いでマスク・コストの割合が大きくなった。製造コストが最も高くなるリソグラフィ技術は「ArF液浸SADPとEUVカットの併用」で、コストの値は約1.3である。最も低くなるリソグラフィ技術は「ArF液浸SADPと電子ビーム・カットの併用」で0.8をわずかに切った。次いで「EUVのSP」が低く、0.8をわずかに上回る値にとどまった。

photo リソグラフィ技術の違いによる製造コストの比較。スループットは200ウエハー/時間、マスクの寿命は1万ウエハーと仮定した。製造コストは1レイヤー当たりの相対値(クリックで拡大)

 Renwick氏は、IBMによるコスト推定の結果も紹介した。IBMはFinFET形成から第2層金属配線層までのプロセスに対し、ArF液浸リソグラフィ(マルチパターニング技術を適宜に採用)とEUVリソグラフィ(一部にSADPを使用)のコストを比較した。解像するパターンの大きさはFinFETのフィンピッチが24nm、第1層金属配線ピッチが32nmである。

 積み上げ方式でコストの点数をカウントしたところ(コストが高いと点数が高く出る)、ArF液浸リソグラフィのコストが58.5点、EUVリソグラフィのコストが59点となった。

photo FinFETプロセスに対するArF液浸リソグラフィとEUVリソグラフィのコスト比較

 これらの計算結果から分かるのは「EUVリソグラフィのコストは高くない」ということだ。あるいは、「ArF液浸リソグラフィのコストが上昇した結果、EUVリソグラフィのコストと変わらなくなった」と表現すべきだろう。

 もう一つ重要なのは、「ArF液浸リソグラフィに部分的にEUVリソグラフィを導入する工程」ではコストがきわめて高くつくことだ。EUVリソグラフィを採用するのであれば、全面的に導入することが望ましい。すると問題となるのは、EUVリソグラフィを構成する要素技術が全て、半導体メーカーに提供できる状態になっているかどうか(アベイラビリティ)である。全てがアベイラブルかどうかが(現在はそうなっていない)、EUVリソグラフィの課題であることがうかがえる。

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