負の磁気抵抗効果、非磁性の導電性物質で初観測：発現メカニズムも明らかに（2/2 ページ）

[馬本隆綱，EE Times Japan]

発現メカニズムも明らかに

　研究グループは、磁場中の電子状態を解析することで、その発現メカニズムも明らかにした。純度が極めて高い物質は、磁場が加わると磁場の影響を受けて電子の軌道が再編成されるという。この状態になると、電子同士は邪魔されずに、一層動きやすくなることが分かった。こうしたことから、物質の純度が極めて高いパラジウム−コバルト酸化物は、磁場によって金属状態が増大したと、研究グループでは見ている。

　負の磁気抵抗効果は、パラジウム−コバルト酸化物だけではなく、姉妹物質である「白金−コバルト酸化物」や、これらとは異なる結晶構造を持つ「ストロンチウム−ルテニウム酸化物」でも、同様の現象を確認できたという。

今回見出した負の磁気抵抗効果のモデル図 出典：NIMS

　研究グループでは今回の研究成果について、磁気抵抗効果を利用した新たなセンサー素子の開発や、同じメカニズムで発現する大きな負の磁気抵抗を示す物質の開発などに波及していく、とみている。