2種類の永久スピンらせん状態間を電気的に制御：次世代の省電力・高速演算スピンデバイス実現へ（2/2 ページ）

[馬本隆綱，EE Times Japan]

スピン演算素子実現が可能に

　理論解析から、この2つのゲート電圧では「永久スピンらせん状態」と「逆永久スピンらせん状態」が実現されていることを確認した。

相補型電界効果スピントランジスターの模式図 （クリックで拡大） 出典：東北大学大学院工学研究科

　スピン緩和の抑制された「永久スピンらせん状態」と「逆永久スピンらせん状態」間を電界操作した実験結果は「世界でも初めて」と研究チームは主張する。このスピン緩和が抑制された2つのスピン状態を電界制御することにより、「相補型電界効果スピントランジスターや電界操作によるスピン演算素子を実現することが可能になる」と研究チームではみている。

　なお、今回の研究成果は米国科学誌「Applied Physics Letters」で、2016年3月28日にオンライン公開された。