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“後発・ローム”がパワーデバイスで成長できる理由：電子ブックレット

EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、“後発ながら”パワーMOSFETやIGBTなどのパワーデバイス分野で売り上げ規模を拡大させているロームに、その理由を聞いた記事を紹介します。

» 2017年03月05日 11時30分公開

[EE Times Japan]

“後発・ローム”がパワーデバイスで成長できる理由

　アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、“後発ながら”パワーMOSFETやIGBTなどのパワーデバイス分野で売り上げ規模を拡大させているロームに、その理由を聞いた記事を紹介します。

“後発・ローム”がパワーデバイスで成長できる理由

ロームはパワーMOSFETやIGBTなどのパワーデバイス分野で売り上げ規模を拡大させている。パワーデバイス市場では、後発のローム。なぜ、後発ながら、自動車や産業機器などの領域でビジネスを獲得できているのか。ローム役員に聞いた。【著：竹本達哉】

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ロームとSemikron、SiCデバイスの国内販売で協力
ロームとSemikron（セミクロン）は2017年2月27日、日本におけるSiC（シリコンカーバイト）パワーデバイス、モジュールの販売協力を開始すると発表した。両社の技術を組み合わせることで、市場ニーズに合ったパワーソリューションの提供を可能にするという。
三菱電機がSiC-SBDを発売、ディスクリート品は初
三菱電機は、SiC（炭化ケイ素）を用いたパワー半導体の新製品「SiC-SBD」を2017年3月1日に発売した。同社はこれまでSiC-SBDやSiC-MOSFETを搭載したパワー半導体モジュールを2010年から製品化してきたが、ディスクリート品の提供は初となる。
6インチSiCの量産化は2017年？ GaNはどうなる
富士経済は、次世代パワー半導体の世界市場に関する調査結果を発表した。SiCは、6インチ基板への移行が進まず、本格的な量産は2017年以降にずれ込む可能性があるという。GaNは、量産化へのハードルが低くなり、耐圧600Vから1200Vクラスの領域で需要が増加するとした。
SiC／GaNパワー半導体、本格普及は2020年以降か
矢野経済研究所は、2015年のパワー半導体市場規模が前年比7.0％減の148億2000万米ドルになった模様だと発表した。SiCやGaNパワー半導体の本格的な普及は2020年以降になるという。
パワー半導体、シリコンの置き換えは何年も先
ドイツで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2016」では、SiCとGaNを用いたパワー半導体が多く展示された。パワーエレクトロニクス業界に40年以上身を置く、ECPE（European Center for Power Electronics）のプレジデントを務めるLeo Lorenz氏に、現在のパワー半導体の動向について話を聞いた。
寿命「30億年」に「10年」が挑む
次世代パワー半導体の旗手として脚光を浴びるSiC（炭化ケイ素、シリコンカーバイド）。SiCパワー半導体を利用したシステム製品も登場しており、次は自動車への採用に期待が掛かる。だが、SiCにはまだまだ課題が残っていた。その1つが寿命だ。