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SiCデバイスの開発を加速するリテルヒューズ：電子ブックレット

アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、SiCパワーデバイスの開発を加速する“第3勢力”として名乗りを上げたリテルヒューズの戦略を紹介します。

» 2018年02月04日 11時00分公開

[EE Times Japan]

SiCデバイスの開発を加速するリテルヒューズ

Littelfuseは、パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2017」（2017年5月16～18日、ドイツ・ニュルンベルク）で、SiCパワーデバイスと、それらを搭載した評価ボードやデモボードを展示した。回路保護素子のイメージが強い同社だが、SiCパワーデバイス市場の成長を見込んで開発を加速している。【著：村尾麻悠子】

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8インチSiCインゴッドに対応、レーザーソー
ディスコは、KABRA（カブラ）プロセスを採用した、直径8インチSiC（炭化ケイ素）インゴッドに対応するレーザーソー「DAL7440」を開発した。
耐圧1200V級のオールSiCモジュールを可能に
産業技術総合研究所（産総研）の研究グループらは、耐圧1200V級のショットキーバリアダイオード内蔵SiC（炭化ケイ素）トランジスターを開発し、量産試作品レベルでその性能や信頼性を実証した。【訂正】
“他にないスライス技術”がSiCの生産効率を4倍へ
半導体製造装置メーカーであるディスコは、今までにない手法を用いたレーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA（カブラ）」プロセスを開発したと発表した。SiC（炭化ケイ素）ウエハー生産の高速化、取り枚数増を実現し、従来方式と比較して生産性を4倍向上させることが可能という。
SiC素材を同時に40枚加工、放電スライス装置
三菱電機は、「SEMICON Japan 2017」で、SiC（炭化ケイ素）インゴッドをウエハースライス加工するためのマルチワイヤー放電スライス加工機を紹介した。
SiCと単結晶ダイヤモンドの常温接合に成功
富士通と富士通研究所は2017年12月7日、SiC（炭化ケイ素）基板に単結晶ダイヤモンドを常温で接合する技術を開発したと発表した。GaN（窒化ガリウム）を用いたHEMT（高電子移動度トランジスタ）パワーアンプの放熱性を高めることのできる技術で、GaN-HEMTの高出力化への貢献が期待される。
次世代半導体材料、2023年に153億円規模へ
SiC（炭化ケイ素）などワイドバンドギャップ半導体単結晶の国内市場（メーカー出荷金額）は、2017年の約96億円に対し、2023年は約153億円に拡大する見通しとなった。