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オンセミ、TOLL採用の650V耐圧SiC MOSFETを発表：従来製品に比べ体積を60％削減

オンセミ（onsemi）は、TO-Leadless（TOLL）パッケージを採用した耐圧650VのSiC（炭化ケイ素）MOSFET「NTBL045N065SC1」を発表した。従来製品に比べ小型で、より信頼性の高い電源設計が可能となる。

» 2022年05月13日 13時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

　オンセミ（onsemi）は2022年5月、TO-Leadless（TOLL）パッケージを採用した耐圧650VのSiC（炭化ケイ素）MOSFET「NTBL045N065SC1」を発表した。従来製品に比べ小型で、より信頼性の高い電源設計が可能となる。

NTBL045N065SC1の外観出所：オンセミ

　NTBL045N065SC1は、V_DSS定格が650V、R_DS（on）の標準値が33mΩ、最大ドレイン電流（I_D）は73Aである。動作温度は最大175℃、Q_G（tot）が105nCという極めて低いゲートチャージにより、スイッチング損失を大きく低減した。

　パッケージの外形寸法は9.90×11.68mmで、高さは2.30mmと薄い。一般的なD2PAKパッケージと比べ、プリント基板の実装面積を30％削減することができる。低背にしたことで、体積ベースでは60％も削減することが可能となった。パッケージインダクタンスも2nHと低い。

　また、ケルビンソース構成としたことで、ゲートノイズの低減とスイッチング損失の低減を可能とし、構成が異なるデバイスに比べ、ターンオン損失（EON）を60％も抑えた。さらに、TOLLパッケージはMSL1（湿度感度レベル1）規格に準拠しており、量産時の故障率を低減することができるという。

　NTBL045N065SC1は、スイッチモード電源（SMPS）や、サーバおよびテレコム用電源、ソーラーインバーター、無停電電源（UPS）、エネルギー貯蔵などの用途に提案していく。

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