2kV耐圧のSiC MOSFETとダイオードを発表、Infineon：PCIM2022（2/2 ページ）

[永山準，EE Times Japan]

広い電圧推奨領域を実現

　さらに、新製品は、同社が2022年4月に発表した「CoolSiC MOSFET 1200 V M1H」の技術に基づいており、M1H同様、幅広い周波数範囲でゲート-ソース間の最大電圧を−10Vまで下げられるようにしている。

左＝従来製品とのゲート電圧推奨領域の違い。左の2つが従来製品の表で、上はディスクリート品、下がモジュール品の推奨領域。新製品（右）はM1H同様、広い電圧推奨領域を実現している／右＝頑丈なボディーダイオードはハードスイッチングにも適している［クリックで拡大］ 出所：Infineon Technologies

　今回発表した2kV SiC MOSFETは、M1H技術とともに導入した大容量の「Easy 3B」モジュールを2022年第3四半期、ハーフブリッジ構成の62mmモジュールを2022年第4四半期に提供予定。MOSFETおよびダイオードのディスクリート品ははんだ付け技術「.XT接合」を採用したTO247-PLUSパッケージで2022年末までに提供予定としている。また、同社は、今回の製品をサポートするため、最大2.3kVに対応するゲートドライバーICも提供していく。

左＝2kV SiC MOSFETおよびダイオードのラインアップ。M1H同様、広い電圧推奨領域を実現している／右＝最大2.3kVに対応するゲートドライバーICについて［クリックで拡大］ 出所：Infineon Technologies

　同社のVice President Silicon CarbideであるPeter Friedrichs氏は、「同技術開発の最初の原動力は、太陽光発電の変換技術だった」と説明。「2kV技術の導入により、kW/kg（容量/太陽光発電システムのパワーコンディショナーの重量）の比率を大幅に向上させることが可能になる。これは特にストリングインバーターのソリューションにとって重要で、非常に大きな電力のシステムを数人で設置できるようになれば、これは重要な『ゲームチェンジャー』となる」と述べた。このほか、エネルギー貯蔵システムやEVチャージャー、ソリッドステートトランスフォーマーなどでの導入も見込んでいる。

新製品のターゲットアプリケーションやその利点［クリックで拡大］ 出所：Infineon Technologies

　なお今回の発表では、同社の第2世代SiC MOSFETについても言及。第2世代SiC MOSFETでは従来の25〜30％の性能向上を見込んでいて、「SiC MOSFETの市場規模を大幅に拡大するだろう」としている。

第2世代SiC MOSFETについて［クリックで拡大］ 出所：Infineon Technologies