欧中日30車種で採用されたSiCパワー半導体、基本半導体：ネプコン2024で展示

中国Shenzhen BASiC Semiconductorは、「第1回 パワーデバイス＆モジュール EXPO」（2024年1月24〜26日／東京ビッグサイト）で出展し、同社が手掛ける車載向けSiC（炭化ケイ素）パワー半導体の製品群を展示した。

[半田翔希，EE Times Japan]

　中国 Shenzhen BASiC Semiconductor（以下、基本半導体）は、「第38回ネプコンジャパン」（2024年1月24〜26日／東京ビッグサイト）の構成展として初めて開催された「第1回 パワーデバイス＆モジュールEXPO」に出展し、車載／産業向けSiC（炭化ケイ素）パワー半導体の製品群を展示した。

展示した車載／産業向けSiCパワー半導体の製品群［クリックで拡大］

　SiC MOSFETを搭載した車載用HPDモジュール「Pcore6」（6チップ／8チップ並列）や車載用DCMモジュール「Pcore2」は、加圧銀焼結接合や高密度銅ボンディングワイヤ技術、窒化ケイ素系AMBセラミック基板、直接水冷式PinFin構造を採用しているため、高効率、高耐圧などを実現している。EV（電気自動車）向けインバーターに採用することで、EVの航続距離伸長につながる。

　同様にSiC MOSFETを搭載した車載用TPAKモジュール「Pcore1」は、xEV（電動車）のインバーター向けに開発された高電流密度のシングルスイッチモジュールだ。加圧銀焼結接合や窒化ケイ素系AMBセラミック基板を採用していて、デバイスの総熱抵抗を低減する。その他、HPD三相フルブリッジSiC MOSFETドライバー「6CP0215T12-A11」や車載 SiC MOSFETモジュール「Pcell7」なども展示した。

　今回展示したこれらの製品群は「中国を中心に、既に欧中日の30車種に搭載されている」（担当者）という。

（左）＝左から、6CP0215T12-A11、Pcore6 シリーズ（6チップ並列）、Pcore6 シリーズ（8チップ並列）、Pcore2、Pcell7、Pcore1／（右）＝実際に搭載されている車種［クリックで拡大］

　基本半導体は、SiCパワーデバイスの材料製造からチップの設計／製造、パッケージング、テストまで、幅広い研究開発を行うパワー半導体メーカーだ。SiC関連の特許を200件以上取得していて、同社製品はEVや産業機器の他、新エネルギー、スマートグリッド、電鉄などの分野に幅広く採用されている。

　同社の車載用SiCパワーモジュールの製造拠点（中国無錫市）は、ダイシングから焼結、溶接、組み立て、テストまで全プロセスをカバーしている。総面積は1万2000m²で、最大で年間500万台まで生産能力の拡張が可能だ。