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プラグアンドプレイmSiCゲートドライバーを開発：高電圧SiCパワーモジュール向け

Microchip Technologyは、耐圧3.3kVのSiCモジュールを駆動するための絶縁型プラグアンドプレイmSiCゲートドライバー「XIFM」を開発、受注を始めた。

» 2024年02月28日 14時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

電源システムの設計と評価に要する期間を大幅に短縮

　Microchip Technologyは2024年2月、耐圧3.3kVのSiCモジュールを駆動するための絶縁型プラグアンドプレイmSiCゲートドライバー「XIFM」を開発、受注を始めた。

　新製品は、ゲートドライバーの回路設計やテスト、認定といった複雑な開発作業を終えていて、電源システムの開発期間を大幅に短縮することができる。モジュール性能を最適化するように調整された「ターンオン／オフ」ゲート駆動プロファイルも設定済みである。「従来のアナログソリューションに比べ設計期間を最大50％短縮できる」（同社）という。

　また、10.2 kV耐圧の一次／二次間強化絶縁を備えた。さらに、温度やDCリンク監視、UVLO（低電圧ロックアウト）、OVLO（過電圧ロックアウト）、短絡／過電流保護（DESAT）、NTC温度監視といった監視／保護機能も内蔵した。鉄道規格の「EN 50155」にも準拠している。

新製品の外観［クリックで拡大］出所：Microchip

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