パワー半導体デバイスからの放射性ノイズも測定した。ソフトスイッチングを採用したことで、ハードスイッチングに比べ放射性ノイズを20〜80%も低減できた。動作周波数に対する入出力電圧比は、より高昇圧を全領域で達成。基本系回路と比べ最大16倍の電圧比を実現したという。
さらに、負荷率86%(104W、1.5MHz)での実測電力変換効率は91.3%となった。この値はMHz駆動で高昇圧比タイプの製品として、かつてない電力変換効率だという。電力密度は39W/in3となった。起動10分後における実装部品の発熱状態をサーモグラフィーで計測しても、その温度分布からパワー半導体デバイスでの損失が抑制されていることを確認した。
今回試作したのは電力容量が100Wクラスだが、今後はkWクラスへの対応と電力密度100W/in3を目指す考えである。
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