相次ぐ買収に特許紛争、一方で破産も……激動のGaNパワー半導体市場：電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記

競争は激化の一途をたどっています。

[永山準，EE Times Japan]

　この記事は、2024年9月17日発行の「電子機器設計／組み込み開発 メールマガジン」に掲載されたEE Times Japan／EDN Japanの編集担当者による編集後記の転載です。

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相次ぐ買収に特許紛争、一方で破産も……激動のGaNパワー半導体市場

　GaN（窒化ガリウム）パワー半導体の普及が加速する中、主要プレイヤーの構図も変わってきました。業界では最近、大手半導体メーカーによる主要メーカーの買収や特許紛争などが相次いでいます。一方で、事業が軌道に乗る前に資金繰りに困窮し、破産を申請する企業の存在も。また直近では、Infineon Technologies（以下、Infineon ）が300mm GaNウエハー技術を開発したという大きな発表もあり、市場の競争はさらに激化していくことが見込まれます。

　台湾の市場調査会社TrendForceによると、GaNパワーデバイス市場は2023年から2030年まで年平均成長率（CAGR）49％で成長し、2023年の2億7100万米ドルから2030年には43億7600万米ドルにまで拡大すると予想されています。また、同市場は分野別では民生向けが大半を占めている状況ですが、同社によると今後、特に車載、データセンターおよびモータードライブがけん引役となって非民生アプリケーションの割合が拡大し、2023年の23％から2030年には48％に増加する見込みです。

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