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0.6×0.3mmのSWIR域超小型LEDパッケージを開発：バイオセンシング用途にも適用

ウシオ電機は、フットプリントが0.6×0.3mmと極めて小さいSWIR（短波赤外）域超小型LEDパッケージを開発、2024年11月からテストサンプル品の供給を始める。

» 2024年10月30日 09時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

InP系材料で初めてフリップチップ構造のLEDチップ採用

　ウシオ電機は、フットプリントが0.6×0.3mmと極めて小さいSWIR（短波赤外）域超小型LEDパッケージを開発、2024年11月からテストサンプル品の供給を始めると発表した。

開発品（左）と従来品（右）のパッケージ比較［クリックで拡大］出所：ウシオ電機

　SWIR域である1050～1650nmの波長帯は、スマートフォンやバイタルセンシング、近接センサーなどの他、非侵襲での深部計測やイメージングといった生体分子を検出するバイオセンシングの用途に適している。これらの用途では、LEDパッケージのさらなる小型化が求められているという。

　そこで今回、InP（インジウムリン）系材料では初めてとなるフリップチップ構造のLEDチップを採用した。これにより、ワイヤーボンディングを行うためのスペースが不要となり、パッケージの小型化が可能となった。ワイヤーによる影の影響もなく、出力や照度分布の均一性も向上させた。

　透明樹脂でチップが保護されており、はんだ実装にも対応できるなど、0603サイズの電子部品と同じように基板実装が可能である。

線幅サブミクロンも視野に　パッケージ向け露光装置でウシオとAppliedが協業
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高出力の縦型AlGaN系深紫外半導体レーザーを開発
名城大学と三重大学、ウシオ電機および、西進商事の研究グループは、高い光出力が得られる「縦型AlGaN系深紫外（UV-B）半導体レーザー」を開発した。光出力は1素子で1Wを超える見通し。素子を集積化すれば光出力が数十～数百Wのレーザー光源を実現できるとみている。
ウシオ電機、15億円投資で投影露光装置の生産強化へ
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ウシオ電機、小型のエキシマ照射装置を発売
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光半導体をシリコン基板上に高速実装、東レが開発
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