AlN適用のUV-Cレーザーダイオード実用化へ 旭化成がULTEC設立：名古屋大学 天野浩氏が技術顧問

旭化成は、旭化成発スピンアウトベンチャー「ULTEC（ウルテック）」を設立した。窒化アルミニウム（AlN）を用いた超ワイドギャップ半導体技術をベースに、名古屋大学の天野・本田研究室と共同研究してきた「深紫外線レーザーダイオード（UV-C LD）」などの早期実用化と市場拡大を目指す。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

窒化アルミニウムを用いた超ワイドギャップ半導体技術を基盤に

　旭化成は2025年8月、旭化成発スピンアウトベンチャー「ULTEC（ウルテック）」を設立したと発表した。窒化アルミニウム（AlN）を用いた超ワイドギャップ半導体技術をベースに、名古屋大学の天野・本田研究室と共同研究に取り組んできた「深紫外線レーザーダイオード（UV-C LD）」などの早期実用化と市場拡大を目指す。

　AlNは、窒化ガリウム（GaN）に続く次世代半導体材料として注目されている。旭化成の研究・開発本部は、名古屋大学の天野・本田研究室と共同で、2017年よりUV-C LDの研究を行ってきた。その成果として2019年には「室温パルス発振」に、2022年には「室温連続発振」にそれぞれ成功してきた。この技術はケミカル・バイオ計測機器や殺菌用途で注目されているという。

　こうした中で旭化成は、UV-C LDの早期実用化と市場拡大に向けて、従来型の事業化手法ではなく、スピンアウトによる非連結会社のスタートアップとして、ULTECを愛知県名古屋市に設立した。

　旭化成は、自社が保有する関連技術をULTECにライセンスし、意思決定のスピードを高める。また、名古屋大学の研究設備や外部のリソースを活用することでアセットライトな事業モデルを目指す。

　ULTECは、AlNを用いた超ワイドギャップ半導体技術をベースに、UV-C LDや遠紫外線LED、深紫外線センサー、高耐圧パワーデバイスなどの開発と事業化に取り組む計画である。

ULTECの主要メンバー。左から張梓懿（Ziyi Zhang）氏、天野浩氏、久志本真希氏、吉川陽氏［クリックで拡大］ 出所：旭化成