GaN、SiCパワー半導体の技術革新――PCIM 2025レポート：EE Exclusive（4/10 ページ）

[永山準，EE Times Japan]

新JFETやSuper Junction品投入へ、InfineonのSiC戦略

　シリコン、SiC、GaNの各パワー半導体を展開しパワー半導体市場で首位の座を維持するInfineon Technologies（以下、Infineon）。SiCでは新たに高速かつ堅牢な電力供給システムに対する需要に対応するSiC JFETデバイスや、オン抵抗を従来比40％削減するトレンチベースのスーパージャンクション（Trench-based SiC Super Junction：TSJ）技術を採用したSiC MOSFETも開発していて、さらなる競争力の強化を図っている。

CoolSiC JFETの搭載ボード［クリックで拡大］

あらゆるニーズへの対応に向けラインアップ拡充

　InfineonはPCIMでメディアラウンドテーブルを実施し、同社のSiCパワーデバイス製品戦略を紹介した。

　Infineonは2024年3月に、トレンチ構造を採用する第2世代のSiC MOSFET製品「CoolSiC MOSFET Generation 2（G2）」を発表。産業グレードのディスクリートでは、耐圧400Vや1400V品を新たに開発したほか、高効率の冷却が可能なTSC（上面冷却）品およびTSC製品でで低コストかつ高い電力密度とシステム効率を実現する「Q-DPAK」パッケージも投入するなど続々と製品ラインアップを拡充。SiCパワーデバイスの生産能力の拡大なども図り、市場シェア拡大に向けた取り組みを加速してきた。

CoolSiC MOSFET Generation 1と2のラインアップ［クリックで拡大］ 出所：Infineon Technologies

「Q-DPAK」パッケージについて［クリックで拡大］ 出所：Infineon Technologies

　同社のFellow SiC Innovation & IndustrializationのPeter Friedrichs氏は「こうした多様なパッケージプラットフォームを用意しているのは、全てターゲットアプリケーションの具体的なニーズに応えるためだ。新たな設計やトポロジーの多様性によって、より具体的でアプリケーション主導型、カスタマイズ型のニーズが高まっている」と語っていた。