NVIDIAによるAIデータセンターはGaNに「SiC×Tesla」級の波をもたらすか：電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記

窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場の成長が一気に加速する可能性があります。

[永山準，EE Times Japan]

　この記事は、2025年12月8日発行の「電子機器設計／組み込み開発 メールマガジン」に掲載されたEE Times Japan／EDN Japanの編集担当者による編集後記の転載です。

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NVIDIAによるAIデータセンターはGaNに「SiC×Tesla」級の波もたらすか

　NVIDIAが発表した次世代AIデータセンター向けの800V直流電源アーキテクチャは、パワー半導体市場成長のけん引役となることが期待されています。特に注目されるのが窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の発展で、業界アナリストには「NVIDIAのAIデータセンターへの取り組みが、GaNに『炭化ケイ素（SiC）におけるTeslaの契機』のような勢いをもたらしている」と評価されています。

　フランスの市場調査会社Yole Group（以下、Yole）によれば、GaNパワーデバイス市場は2024年から2030年まで年平均成長率（CAGR）42％で推移し、約30億米ドルの市場に成長。なかでも通信／インフラ分野は同期間CAGR53％と急成長し、2024年の2900万米ドルから3億8000万米ドル以上にまで拡大する見込みとなっています。この成長を支える要素としてYoleが挙げるのが、NVIDIAの800V直流電源アーキテクチャにおけるGaNデバイス採用です。

　NVIDIAの800V直流電源アーキテクチャ構想は同社が2025年5月に発表したもの。AIの急速な普及によってデータセンターの電力需要が急増する中で、従来の電力供給システムは物理的にも経済的にも限界に達しつつあるといい、こうした課題を克服するための新たなソリューションとして提唱されています。