高効率と高信頼性を両立したSiC SBD、トレックス：チップサイズ小型化で低価格に

トレックス・セミコンダクターは2026年1月20日、炭化ケイ素（SiC）を採用した650Vショットキーバリアダイオード（SBD）「XBSC41／XBSC42／XBSC43シリーズ」を発表した。性能指数（FOM）を抑えつつ高いサージ電流耐量（IFSM）を両立したという。

[杉山康介，EE Times Japan]

チップ小型化で低価格化　ラインアップも充実

　トレックス・セミコンダクター（以下、トレックス）は2026年1月20日、炭化ケイ素（SiC）を採用した650Vショットキーバリアダイオード（SBD）「XBSC41／XBSC42／XBSC43シリーズ」を発表した。すでに量産を開始していて、参考価格は474円（税込）だ。

XBSC41／XBSC42／XBSC43シリーズ［クリックで拡大］出所：トレックス・セミコンダクター

　トレックスでは、子会社フェニテックセミコンダクターが設計および製造を手掛けるSiC SBD製品を展開していて、2023年に第1弾製品「XBSC11A108CS」を発売した。同製品のフィードバックを生かして開発したのが、XBSC41／XBSC42／XBSC43シリーズだ。

　チップサイズを小さくしたことで歩留まりが向上し、前製品（サンプル価格：税込800円）から低価格化を実現したという。使い勝手が良いという650V耐圧にしたほか、6／8／10Aと電流ごとに3タイプをそろえた。パッケージも非絶縁タイプの「TO-220AC」と絶縁タイプの「TO-220FM-2」の2種類を用意する。

低FOMと高IFSMを両立

　順方向電圧（VF）を1.35Vに抑えつつ、総電荷量（Qc）も18nCに抑制。「性能指数（FOM）が24.3と小さく、高効率な動作を可能にした」（トレックス担当者）という。加えて「サージ順電流（IFSM）耐量を大幅に向上し、業界トップクラスの最大92Aを実現した」（同）とする。

FOMおよびIFSMの競合比（XBC43シリーズと比較）［クリックで拡大］ 出所：トレックス・セミコンダクター

　「高効率と高信頼性の両立によって、SiCならではの高速スイッチング特性と低損失性能を持ちつつ、スタートアップ時や突入電流発生時にも余裕を持った設計を可能にする。保護用バイパスダイオードが不要になるため、部品削減によるコストダウン、省スペース可も可能だ」（トレックス担当者）

　製品はスイッチング電源や白物家電、太陽光発電用パワーコンディショナー、インバーターなど、信頼性が重視される分野で幅広く使用できるとする。トレックスの担当者は「XBSC11A108CSは第1弾ということで手探りの部分もあったが、そこで得たフィードバックなどをもとに、今後SiC SBD製品をより本格的に展開していきたい」と語った。