旭化成、AlN基板によるUVC LED事業を終了:AlN基板の研究開発は継続
旭化成は2026年3月26日、深紫外線(UVC)LED事業の終了を発表した。子会社である米Crystal ISのAlN基板技術を応用した事業を行ってきたが、今後の事業性など総合的に検討した結果、終了に至ったという。
旭化成は2026年3月26日、深紫外線(UVC)LED事業の終了を発表した。同社事業ポートフォリオ変革の一環で、本件の連結業績への影響は軽微だとしている。
旭化成は、窒化アルミニウム(AlN)基板の開発を目的とした米Crystal ISを子会社に有する。同社のAlN基板の材料技術の応用として、計測・殺菌用途向けのUVC LED事業に取り組んできたが、今後の事業性や旭化成の戦略との整合性、経営資源の最適配分を総合的に検討した結果、事業終了に至ったという。
なお、AlN基板の研究開発は旭化成およびCrystal ISで継続する。AlN基板は深紫外領域をはじめとした光デバイス用途に加え、高周波デバイスや次世代パワーデバイスなどへの応用も期待されるため、引き続き技術開発に注力し、事業化を目指すとする。
2μm帯赤外線レーザー発振に成功、AKMら
旭化成エレクトロニクス(AKM)と京都大学の研究グループは、光源構造を最適化したことで、2μm帯赤外線フォトニック結晶レーザー(PCSEL)の発振に成功した。生体内物質の非侵襲センシングなど、従来技術では対応が難しかった用途に提案していく。
AKM、2020年火災で停止中の延岡LSI工場を譲渡 旭有機材の新拠点に
旭化成エレクトロニクス(AKM)は2025年12月24日、同社が所有する宮崎県延岡市のLSI製造工場施設(以下、延岡工場)を、旭有機材に譲渡することを発表した。2020年の火災以降、生産停止していた施設で、旭有機材は新たな生産拠点として整備し、半導体製造装置向け小型精密バルブ「Dymatrix」の生産などに使用する。
AlN適用のUV-Cレーザーダイオード実用化へ 旭化成がULTEC設立
旭化成は、旭化成発スピンアウトベンチャー「ULTEC(ウルテック)」を設立した。窒化アルミニウム(AlN)を用いた超ワイドギャップ半導体技術をベースに、名古屋大学の天野・本田研究室と共同研究してきた「深紫外線レーザーダイオード(UV-C LD)」などの早期実用化と市場拡大を目指す。
ポスト5Gに期待! 「世界初」AlN系高周波トランジスタの動作に成功、NTT
NTTは、窒化アルミニウム(AlN)系高周波トランジスタの動作に「世界で初めて」(同社)成功したと発表した。これまで困難とされてきた高アルミニウム(Al)組成での高周波動作を低抵抗構造の設計によって実現したものだ。ミリ波帯における信号増幅が可能で、ポスト5G時代の無線通信サービスの向上が期待される。
スマホの周波数フィルター高性能化に効く AlN系圧電薄膜
産業技術総合研究所(産総研)と物質・材料研究機構は、弾性波フィルターに用いられる窒化物圧電材料の性能を大きく向上させることに成功した。圧電定数を35.5pC/Nまで高めたことで、より高い周波数帯域に対応した弾性波フィルターを開発できるとみている。
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