「FeRAM」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

2025年1月から：
富士通セミコンダクターメモリソリューション、「RAMXEED」に社名変更へ
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、2025年1月1日付で「RAMXEED」に社名を変更すると発表した。（2024/8/21）

耐久性に優れた窒化物強誘電体薄膜：
強誘電体メモリの製造プロセス簡素化とコスト削減
東京工業大学とキヤノンアネルバ、高輝度光科学研究センターの研究グループは、窒化物強誘電体であるスカンジウムアルミニウム窒化物「（Al,Sc）N」薄膜が、従来の強誘電体に比べ、熱／水素雰囲気下での耐久性に優れていることを確認した。強誘電体メモリの製造プロセスを簡素化でき、大幅なコスト削減が可能となる。（2024/7/24）

荒川弘『百姓貴族』アニメ2期制作決定！　POP UP SHOPが12月12日から順次開催
やったぜ！（2023/12/18）

デバイス内部の不良を非破壊で観察：
キャパシターの絶縁破壊過程を電極越しに可視化
東京大学の研究グループは、大容量強誘電体メモリに実装可能な二酸化ハフニウム（HfO2）系強誘電体を用いたキャパシターが絶縁破壊に至る過程を、電極越しに可視化することに成功した。（2023/10/30）

荒川弘の農業愛だだ漏れアニメ『百姓貴族』、YouTube特番で一挙配信
特番はTOKYO MX公式YouTubeで11月5日19時から配信。（2023/10/20）

高速、高信頼のデータ収集に対応：
車載向けシリアルFRAMで1Mビット品を発表
インフィニオン テクノロジーズは、車載向けの強誘電体RAM（FRAM）「EXCELON F-RAM」ファミリーとして、シリアル（SPI／QSPI）インタフェースを搭載した1Mビット品を発表した。4Mビット品も同時に発売する。（2023/7/27）

FRAMとReRAMに高い注目度：
新たな局面を迎えつつある新興メモリ
新興メモリが、新たな局面を迎えている。しかし、これまでの数年間に、同分野の成長に貢献するような知名度の高い相変化メモリ（PCM）は現れていない。【訂正あり】（2022/12/27）

頭脳放談：
第271回 Intelの未来予想図？　ムーアの法則は続くよ、どこまでも
Intelが電子デバイスの学会「IEDM 2022」で、パッケージング上での10倍の実装密度向上を目指し、原子3個分の厚さの新素材でトランジスタの微細化を進める計画を発表した。果たして計画通りに進むのか、注目すべき点を解説しよう。（2022/12/19）

次世代メモリの筆頭が消える【第2回】
Intelは「Optane」で“SSDの衝撃”の再来を狙っていた？
Intelは、「Optane」の製品群でメモリの“ある課題”を克服することを狙っていた。その意図は、NAND型フラッシュメモリを搭載するSSDの台頭を想起させるものだった。（2022/10/31）

PCMの未来は：
Intelが撤退を公表、3D XPointはどんな遺産を残す？
Intelはこれまで数年間にわたり、NAND型フラッシュメモリとDRAMとの間のストレージ／メモリ階層を実現する技術として、3D XPointメモリの「Optane」を推進してきた。しかし2022年7月、同年第2四半期の業績発表の中で、そのOptane技術の開発を断念することについて、ひっそりと言及した。（2022/8/30）

福田昭のストレージ通信（217） フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表（1）：
強誘電体メモリとEPROM、相変化メモリの始まり（1950年代／1960年代）
フラッシュメモリに関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット」で、フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表が公開される。この歴史年表が、とても参考になるので、今回からその概略をシリーズで紹介していく。（2022/7/5）

放射線耐性にも自信：
Infineon、宇宙向けのFRAMを発表
電力は宇宙では貴重だ。FRAM（強誘電体メモリ）が地球から離れたところで使用されるアプリケーションにとって理想的なメモリであるのもそのためである。オペレーションの間だけではなく、デバイスがプログラミングされる際にもエネルギー消費が重要となる。そのことは、Infineon Technologies（以下、Infineon）の最新の極限環境向けシリアルインタフェース対応FRAMの主な特長でもある。（2022/6/21）

湯之上隆のナノフォーカス（51）：
「IMW2022」3D NANDの最前線 〜EUV適用から、液体窒素冷却の7ビット/セルまで
半導体メモリの国際学会「International Memory Workshop2022（以下IMW2022）」から、筆者が注目した2つの論文を紹介する。Micron Technologyとキオクシアの論文で、いずれも3D NAND型フラッシュメモリに関する発表である。（2022/6/15）

EE Exclusive：
AI技術が切り開く「インメモリコンピューティング」の可能性
人工知能（AI）とインメモリコンピューティングへの関心が著しく高まる中、ReRAM（抵抗変化型メモリ）は人間の脳を模倣する能力を解き放つ鍵になり得る。とはいえ、まだ課題は残っている。（2022/6/1）

最大54Mバイト/秒の転送速度：
データを高速書き換え、8MビットQuad SPI FRAM
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、54Mバイト/秒の高速データ書き換えを可能にした、メモリ容量8MビットのQuad SPI FRAM「MB85RQ8MLX」を開発、サンプル出荷を始めた。（2022/1/20）

組み込み開発ニュース：
100兆回の書き込みを保証、高速動作と低消費電力の8MビットFRAMを提供開始
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、100兆回の書き込みを保証したパラレルインタフェースの8MビットFRAM「MB85R8M2TA」のサンプル提供を開始した。高速動作と低消費電力を両立し、SRAMの代わりとして産業機械に利用可能だ。（2021/12/2）

消費電力を抑え高速動作を可能に：
8MビットFRAM開発、書き込み回数は100兆回保証
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、消費電力を抑えつつ高速動作を可能にした8MビットFRAM「MB85R8M2TA」を開発、サンプル出荷を始めた。書き込み回数は100兆回を保証する。（2021/11/19）

より大きな残留分極値を可能に：
イオン伝導性と強誘電性が分子集合体中で共存
東北大学多元物質科学研究所の研究グループは、イオン伝導性と強誘電性が共存する、新たな分子集合体構造を開発した。新規の動作原理を用いた有機メモリ素子の開発につながるとみられている。（2021/10/11）

組み込み開発ニュース：
車載規格AEC-Q100グレード1に準拠、4MビットFRAMの量産開始
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、車載規格AEC-Q100グレード1に準拠した4MビットFRAM「MB85RS4MTY」の量産を開始した。＋125℃動作に対応した不揮発メモリで、ADASや高性能産業用ロボットに適する。（2021/7/20）

AEC-Q100グレード1に準拠：
4MビットFRAM追加、125℃対応で1.8〜3.6V動作
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、動作温度範囲が最大125℃で車載グレードに準拠した4MビットFRAM「MB85RS4MTY」の量産を始めた。（2021/7/8）

HZO強誘電体を4nmまで薄膜化：
東京大ら、低電圧で長寿命の強誘電体メモリを開発
東京大学は富士通セミコンダクターメモリソリューションと共同で、1V以下という極めて低い動作電圧で、100兆回の書き換え回数を可能にした「ハフニア系強誘電体メモリ」を開発した。（2021/6/9）

福田昭のストレージ通信（194） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（21）：
米国のルネサスが販売している8MビットのSTT-MRAM
今回は、MRAMおよびSTTT-MRAMの開発ベンチャーであるAvalanche Technologyの製品事例を紹介する。（2021/4/23）

福田昭のストレージ通信（193） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（20）：
次世代半導体メモリの開発ロードマップ
今回から、「次世代メモリ（Emerging Memory）」の講演部分を紹介する。（2021/4/20）

振動加速度1Gで発電出力10mW以上：
東北大、高出力のマイクロ発電デバイスを開発
東北大学未来科学技術共同研究センターの桑野博喜教授らによる研究グループは、仙台スマートマシーンズと協力し、小型軽量で高い発電出力が得られるマイクロ環境発電デバイス（エナジーハーベスター）を開発した。振動加速度1Gで10mW以上の発電出力が可能である。（2021/2/5）

AI時代のストレージを支える技術【後編】
Intel「Optane」は“ヘビーユーザー向け”止まり？　次世代ストレージの本命は
高速なデータ処理への需要を受け、拡大しつつあるのがIntelの「Optane」などを含む新興メモリ市場だ。メモリ分野は将来的にどう変わるのか。（2021/2/2）

富士通エレクトロニクスが展示：
ドイツ発、視線検知で最適表示する裸眼3Dディスプレイ
富士通エレクトロニクスは、「第6回 IoT＆5Gソリューション展 秋」（2020年10月28〜30日、幕張メッセ）において、ドイツ3D Globalが開発した裸眼3Dディスプレイのデモなどを展示した。（2020/11/13）

富士通セミコン MB85RS4MTY：
125℃で動作する車載、産機向け4MビットFRAM
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、最大125℃の高温動作を保証する4MビットFRAM「MB85RS4MTY」を開発した。動作温度−40〜＋125℃の範囲で、10兆回のデータ書き換えを保証する。（2020/8/3）

大容量FeRAMなどの開発に期待：
岡山大ら、強誘電体の傾斜したバンド構造を初観測
岡山大学と高輝度光科学研究センター（JASRI）、産業技術総合研究所（産総研）、東京工業大学、パリサクレー大学の共同研究グループは、電気分極に由来する強誘電体の傾斜したバンド構造の観測に初めて成功した。（2020/7/7）

湯之上隆のナノフォーカス（26）：
3D NANDの最新動向、覇権争いの鍵となる技術は？ バーチャル開催の「IMW2020」から
半導体メモリの国際学会「インターナショナル・メモリ・ワークショップ（IMW）2020」が5月17日〜20日の4日間、バーチャル方式で開催された。本稿では、チュートリアルの資料を基に、NAND型フラッシュメモリメーカー各社の現状とロードマップを紹介する。（2020/6/3）

車載半導体：
125℃の環境下において1.8Vで動作する2MビットFRAM
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、125℃の環境下において1.8Vで動作する2MビットFRAM「MB85RS2MLY」を発表した。リアルタイムなデータ記録が可能で、AEC-Q100 グレード1に準拠することから、ADASなどの先端車載用途に適している。（2020/5/14）

ADASなど先端車載市場向け：
125℃対応の2MビットFRAM、1.8V動作品を追加
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、動作温度が最大125℃の車載向けFRAM製品として、電源電圧1.8Vの2MビットFRAM「MB85RS2MLY」を追加すると発表した。（2020/4/16）

富士通セミコン MB85RS2MTY：
最大125℃の高温動作を保証する2MビットFRAM
富士通セミコンダクターは、最大125℃での動作を保証する、2Mビット（256K×8ビット）FRAM「MB85RS2MTY」を発表した。−40〜＋125℃の温度範囲で動作し、EEPROMの約1000万倍となる10兆回の書き換え回数を保証する。（2019/10/28）

湯之上隆のナノフォーカス（18）：
半導体メーカーの働き方改革 〜半導体技術者の在宅勤務は可能か？
今回は、いつもとは毛色を変えて、“半導体メーカーの働き方改革”に目を向けてみたい。筆者がメーカー勤務だった時代と現在とでは、働き方にどのような違いがあるのだろうか。（2019/10/16）

サイプレスが組み込みシステム向けメモリをリード：
PR：車載・産業特化型NORフラッシュ、超低消費電力F-RAM、非同期SRAM…… 新たな価値を提供する最新メモリ
メモリ需要の拡大が続く自動車、産業機器、医療機器などの市場に向け、サイプレス セミコンダクタ（Cypress Semiconductor）が、新たな価値を提供するさまざまなメモリ製品を相次いで投入している。そこで、今回は、サイプレスの最新メモリ製品のいくつかを紹介する。（2019/9/11）

福田昭のストレージ通信（157） 半導体メモリの技術動向を総ざらい（16）：
次世代メモリの長所と短所を一覧する
本シリーズの最終回となる今回は、次世代メモリの長所と短所をまとめる。既存のメモリ技術ではDRAM、NANDフラッシュが主流であり、少なくとも今後5年間はその地位が揺らぐことはないだろう。（2019/8/2）

富士通セミコンダクター：
容量8MビットのReRAMを製品化
富士通セミコンダクターは2019年7月30日、抵抗変化型メモリ（以下、ReRAM）として8Mビット容量品を2019年9月から販売すると発表した。同社では「ReRAMの量産製品としては世界最大容量」としている。（2019/7/30）

福田昭のストレージ通信（156） 半導体メモリの技術動向を総ざらい（15）：
新材料で次々世代を狙う「強誘電体メモリ（FeRAM）」
今回は「強誘電体メモリ（FeRAM）」を取り上げる。FeRAMの記憶原理と、60年以上に及ぶ開発の歴史を紹介しよう。（2019/7/24）

3年プロジェクトが発足：
エッジAI向け低電力チップ、EUが総力を挙げて開発へ
ベルギーの研究機関imecをはじめとする19の研究機関および企業が、EUの3年間プログラム「TEMPO（Technology & hardware for nEuromorphic coMPuting）」で、複数の新しいメモリ技術をベースとした低消費電力のエッジAIチップの開発を進めているという。（2019/7/11）

福田昭のストレージ通信（153） 半導体メモリの技術動向を総ざらい（14）：
次々世代の不揮発性メモリ技術「カーボンナノチューブメモリ（NRAM）」
次世代メモリの有力候補入りを目指す、カーボンナノチューブメモリ（NRAM：Nanotube RAM）について解説する。NRAMの記憶原理と、NRAMの基本技術を所有するNanteroの開発動向を紹介しよう。（2019/7/2）

湯之上隆のナノフォーカス（13）：
Neuromorphicがブレイクする予感 ―― メモリ国際学会と論文検索から見える動向
2018年、2019年のメモリの学会「International Memory Workshop」（IMW）に参加し、見えてきた新メモリの動向を紹介したい。（2019/5/30）

メディア向け説明会を実施：
サイプレス、車載向けで毎年8〜12％の成長を計画
　サイプレス セミコンダクタ（Cypress Semiconductor）は2019年5月14日、東京都内で、車載向け製品についてのメディア説明会を実施した。同社の自動車事業部マーケティングディレクター、楠本正善氏が製品展開戦略を説明したほか、会場では、最新の車載関連製品のデモ実演も行われた。（2019/5/17）

福田昭のストレージ通信（134） 半導体メモリの勢力図（5）：
既存のメモリと次世代のメモリを比較する
今回は、DRAMやNANDフラッシュメモリなど既存のメモリと、MRAM（磁気抵抗メモリ）やReRAM（抵抗変化メモリ）といったエマージング・メモリ（次世代メモリ）の特徴を比較する。（2019/2/8）

どちらもコンピュータの記憶領域
メモリとストレージは何が違うのか？
メモリとストレージがそれぞれコンピュータに対して果たす役割は似ているが、両者は別物だ。その違いは、コンピュータの電源が切れた時に、それぞれの保存データがそのまま保持されるかどうかにある。（2019/1/8）

ET＆IoT Technology 2018：
大幅に消費電力を低減したFRAMを発表
Cypress Semiconductor（サイプレス セミコンダクタ）は2018年11月14日に開幕した展示会「ET＆IoT Technology 2018」（会場：パシフィコ横浜／会期：2018年11月16日まで）で、超低消費電力を特長にしたFRAM（強誘電体メモリ）の新製品「Excelon LP F-RAM」を発表した。（2018/11/15）

湯之上隆のナノフォーカス（6） ドライエッチング技術のイノベーション史（6）：
アトミックレイヤーエッチングとドライエッチング技術の未来展望
ドライエッチング技術のイノベーション史をたどるシリーズの最終回は、アトミックレイヤーエッチング技術に焦点を当てる。さらに、今後の展望についても考察する。（2018/11/12）

NANDフラッシュの世代交代はいつ？
3D XPointだけじゃない　NANDやDRAMに代わる新たなメモリテクノロジー
NANDフラッシュはメモリ市場で優位に立っている。だが、コストとスケーリングの限界により、徐々にIntelの「3D XPoint」などの新たなテクノロジーにその立場を明け渡すことになるだろう。（2018/11/9）

富士通セミコンダクター：
125℃動作を保証し5V対応、64kビットFRAM
富士通セミコンダクターは、125℃までの動作温度を保証し、最大5.5Vの電源電圧に対応する64kビットFRAM（強誘電体メモリ）「MB85RS64VY」を開発した。（2018/10/30）

組み込み開発ニュース：
離れた位置からデータの更新が可能なバッテリーレス電子ペーパータグ
富士通セミコンダクターは、E Ink Holdingsと共同で、UHF帯RFIDを利用し、電子ペーパーディスプレイの表示をバッテリーレスで変更できる技術を開発した。高速書き込み、低消費電力の不揮発性メモリFRAMを組み込んでいる。（2018/10/26）

バッテリーレスで情報を書き換え：
UHF帯RF IDを用いた電子ペーパータグ技術を開発
富士通セミコンダクターは、UHF帯無線給電技術を用い、電子ペーパーディスプレイの表示内容をバッテリーレスで書き換えることができる技術を、台湾のE Inkと共同開発した。（2018/10/11）

富士通セミコン MB85RS4MT：
リアルタイムデータログに適した4MビットFRAM
富士通セミコンダクターは、4Mビットの不揮発性FRAM「MB85RS4MT」を発表した。10兆回の書き換えが可能で、高速での書き込み、低消費電力を特長とする。（2018/9/18）