• 関連の記事

「FeRAM」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

Ferroelectric RAM:強誘電体メモリ

消費電力を抑え高速動作を可能に:
8MビットFRAM開発、書き込み回数は100兆回保証
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、消費電力を抑えつつ高速動作を可能にした8MビットFRAM「MB85R8M2TA」を開発、サンプル出荷を始めた。書き込み回数は100兆回を保証する。(2021/11/19)

より大きな残留分極値を可能に:
イオン伝導性と強誘電性が分子集合体中で共存
東北大学多元物質科学研究所の研究グループは、イオン伝導性と強誘電性が共存する、新たな分子集合体構造を開発した。新規の動作原理を用いた有機メモリ素子の開発につながるとみられている。(2021/10/11)

組み込み開発ニュース:
車載規格AEC-Q100グレード1に準拠、4MビットFRAMの量産開始
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、車載規格AEC-Q100グレード1に準拠した4MビットFRAM「MB85RS4MTY」の量産を開始した。+125℃動作に対応した不揮発メモリで、ADASや高性能産業用ロボットに適する。(2021/7/20)

AEC-Q100グレード1に準拠:
4MビットFRAM追加、125℃対応で1.8〜3.6V動作
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、動作温度範囲が最大125℃で車載グレードに準拠した4MビットFRAM「MB85RS4MTY」の量産を始めた。(2021/7/8)

HZO強誘電体を4nmまで薄膜化:
東京大ら、低電圧で長寿命の強誘電体メモリを開発
東京大学は富士通セミコンダクターメモリソリューションと共同で、1V以下という極めて低い動作電圧で、100兆回の書き換え回数を可能にした「ハフニア系強誘電体メモリ」を開発した。(2021/6/9)

福田昭のストレージ通信(194) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(21):
米国のルネサスが販売している8MビットのSTT-MRAM
今回は、MRAMおよびSTTT-MRAMの開発ベンチャーであるAvalanche Technologyの製品事例を紹介する。(2021/4/23)

福田昭のストレージ通信(193) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(20):
次世代半導体メモリの開発ロードマップ
今回から、「次世代メモリ(Emerging Memory)」の講演部分を紹介する。(2021/4/20)

振動加速度1Gで発電出力10mW以上:
東北大、高出力のマイクロ発電デバイスを開発
東北大学未来科学技術共同研究センターの桑野博喜教授らによる研究グループは、仙台スマートマシーンズと協力し、小型軽量で高い発電出力が得られるマイクロ環境発電デバイス(エナジーハーベスター)を開発した。振動加速度1Gで10mW以上の発電出力が可能である。(2021/2/5)

AI時代のストレージを支える技術【後編】
Intel「Optane」は“ヘビーユーザー向け”止まり? 次世代ストレージの本命は
高速なデータ処理への需要を受け、拡大しつつあるのがIntelの「Optane」などを含む新興メモリ市場だ。メモリ分野は将来的にどう変わるのか。(2021/2/2)

富士通エレクトロニクスが展示:
ドイツ発、視線検知で最適表示する裸眼3Dディスプレイ
富士通エレクトロニクスは、「第6回 IoT&5Gソリューション展 秋」(2020年10月28〜30日、幕張メッセ)において、ドイツ3D Globalが開発した裸眼3Dディスプレイのデモなどを展示した。(2020/11/13)

富士通セミコン MB85RS4MTY:
125℃で動作する車載、産機向け4MビットFRAM
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、最大125℃の高温動作を保証する4MビットFRAM「MB85RS4MTY」を開発した。動作温度−40〜+125℃の範囲で、10兆回のデータ書き換えを保証する。(2020/8/3)

大容量FeRAMなどの開発に期待:
岡山大ら、強誘電体の傾斜したバンド構造を初観測
岡山大学と高輝度光科学研究センター(JASRI)、産業技術総合研究所(産総研)、東京工業大学、パリサクレー大学の共同研究グループは、電気分極に由来する強誘電体の傾斜したバンド構造の観測に初めて成功した。(2020/7/7)

湯之上隆のナノフォーカス(26):
3D NANDの最新動向、覇権争いの鍵となる技術は? バーチャル開催の「IMW2020」から
半導体メモリの国際学会「インターナショナル・メモリ・ワークショップ(IMW)2020」が5月17日〜20日の4日間、バーチャル方式で開催された。本稿では、チュートリアルの資料を基に、NAND型フラッシュメモリメーカー各社の現状とロードマップを紹介する。(2020/6/3)

車載半導体:
125℃の環境下において1.8Vで動作する2MビットFRAM
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、125℃の環境下において1.8Vで動作する2MビットFRAM「MB85RS2MLY」を発表した。リアルタイムなデータ記録が可能で、AEC-Q100 グレード1に準拠することから、ADASなどの先端車載用途に適している。(2020/5/14)

ADASなど先端車載市場向け:
125℃対応の2MビットFRAM、1.8V動作品を追加
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、動作温度が最大125℃の車載向けFRAM製品として、電源電圧1.8Vの2MビットFRAM「MB85RS2MLY」を追加すると発表した。(2020/4/16)

富士通セミコン MB85RS2MTY:
最大125℃の高温動作を保証する2MビットFRAM
富士通セミコンダクターは、最大125℃での動作を保証する、2Mビット(256K×8ビット)FRAM「MB85RS2MTY」を発表した。−40〜+125℃の温度範囲で動作し、EEPROMの約1000万倍となる10兆回の書き換え回数を保証する。(2019/10/28)

湯之上隆のナノフォーカス(18):
半導体メーカーの働き方改革 〜半導体技術者の在宅勤務は可能か?
今回は、いつもとは毛色を変えて、“半導体メーカーの働き方改革”に目を向けてみたい。筆者がメーカー勤務だった時代と現在とでは、働き方にどのような違いがあるのだろうか。(2019/10/16)

サイプレスが組み込みシステム向けメモリをリード:
PR:車載・産業特化型NORフラッシュ、超低消費電力F-RAM、非同期SRAM…… 新たな価値を提供する最新メモリ
メモリ需要の拡大が続く自動車、産業機器、医療機器などの市場に向け、サイプレス セミコンダクタ(Cypress Semiconductor)が、新たな価値を提供するさまざまなメモリ製品を相次いで投入している。そこで、今回は、サイプレスの最新メモリ製品のいくつかを紹介する。(2019/9/11)

福田昭のストレージ通信(157) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(16):
次世代メモリの長所と短所を一覧する
本シリーズの最終回となる今回は、次世代メモリの長所と短所をまとめる。既存のメモリ技術ではDRAM、NANDフラッシュが主流であり、少なくとも今後5年間はその地位が揺らぐことはないだろう。(2019/8/2)

富士通セミコンダクター:
容量8MビットのReRAMを製品化
富士通セミコンダクターは2019年7月30日、抵抗変化型メモリ(以下、ReRAM)として8Mビット容量品を2019年9月から販売すると発表した。同社では「ReRAMの量産製品としては世界最大容量」としている。(2019/7/30)

福田昭のストレージ通信(156) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(15):
新材料で次々世代を狙う「強誘電体メモリ(FeRAM)」
今回は「強誘電体メモリ(FeRAM)」を取り上げる。FeRAMの記憶原理と、60年以上に及ぶ開発の歴史を紹介しよう。(2019/7/24)

3年プロジェクトが発足:
エッジAI向け低電力チップ、EUが総力を挙げて開発へ
ベルギーの研究機関imecをはじめとする19の研究機関および企業が、EUの3年間プログラム「TEMPO(Technology & hardware for nEuromorphic coMPuting)」で、複数の新しいメモリ技術をベースとした低消費電力のエッジAIチップの開発を進めているという。(2019/7/11)

福田昭のストレージ通信(153) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(14):
次々世代の不揮発性メモリ技術「カーボンナノチューブメモリ(NRAM)」
次世代メモリの有力候補入りを目指す、カーボンナノチューブメモリ(NRAM:Nanotube RAM)について解説する。NRAMの記憶原理と、NRAMの基本技術を所有するNanteroの開発動向を紹介しよう。(2019/7/2)

湯之上隆のナノフォーカス(13):
Neuromorphicがブレイクする予感 ―― メモリ国際学会と論文検索から見える動向
2018年、2019年のメモリの学会「International Memory Workshop」(IMW)に参加し、見えてきた新メモリの動向を紹介したい。(2019/5/30)

メディア向け説明会を実施:
サイプレス、車載向けで毎年8〜12%の成長を計画
 サイプレス セミコンダクタ(Cypress Semiconductor)は2019年5月14日、東京都内で、車載向け製品についてのメディア説明会を実施した。同社の自動車事業部マーケティングディレクター、楠本正善氏が製品展開戦略を説明したほか、会場では、最新の車載関連製品のデモ実演も行われた。(2019/5/17)

福田昭のストレージ通信(134) 半導体メモリの勢力図(5):
既存のメモリと次世代のメモリを比較する
今回は、DRAMやNANDフラッシュメモリなど既存のメモリと、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化メモリ)といったエマージング・メモリ(次世代メモリ)の特徴を比較する。(2019/2/8)

どちらもコンピュータの記憶領域
メモリとストレージは何が違うのか?
メモリとストレージがそれぞれコンピュータに対して果たす役割は似ているが、両者は別物だ。その違いは、コンピュータの電源が切れた時に、それぞれの保存データがそのまま保持されるかどうかにある。(2019/1/8)

ET&IoT Technology 2018:
大幅に消費電力を低減したFRAMを発表
Cypress Semiconductor(サイプレス セミコンダクタ)は2018年11月14日に開幕した展示会「ET&IoT Technology 2018」(会場:パシフィコ横浜/会期:2018年11月16日まで)で、超低消費電力を特長にしたFRAM(強誘電体メモリ)の新製品「Excelon LP F-RAM」を発表した。(2018/11/15)

湯之上隆のナノフォーカス(6) ドライエッチング技術のイノベーション史(6):
アトミックレイヤーエッチングとドライエッチング技術の未来展望
ドライエッチング技術のイノベーション史をたどるシリーズの最終回は、アトミックレイヤーエッチング技術に焦点を当てる。さらに、今後の展望についても考察する。(2018/11/12)

NANDフラッシュの世代交代はいつ?
3D XPointだけじゃない NANDやDRAMに代わる新たなメモリテクノロジー
NANDフラッシュはメモリ市場で優位に立っている。だが、コストとスケーリングの限界により、徐々にIntelの「3D XPoint」などの新たなテクノロジーにその立場を明け渡すことになるだろう。(2018/11/9)

富士通セミコンダクター:
125℃動作を保証し5V対応、64kビットFRAM
富士通セミコンダクターは、125℃までの動作温度を保証し、最大5.5Vの電源電圧に対応する64kビットFRAM(強誘電体メモリ)「MB85RS64VY」を開発した。(2018/10/30)

組み込み開発ニュース:
離れた位置からデータの更新が可能なバッテリーレス電子ペーパータグ
富士通セミコンダクターは、E Ink Holdingsと共同で、UHF帯RFIDを利用し、電子ペーパーディスプレイの表示をバッテリーレスで変更できる技術を開発した。高速書き込み、低消費電力の不揮発性メモリFRAMを組み込んでいる。(2018/10/26)

バッテリーレスで情報を書き換え:
UHF帯RF IDを用いた電子ペーパータグ技術を開発
富士通セミコンダクターは、UHF帯無線給電技術を用い、電子ペーパーディスプレイの表示内容をバッテリーレスで書き換えることができる技術を、台湾のE Inkと共同開発した。(2018/10/11)

富士通セミコン MB85RS4MT:
リアルタイムデータログに適した4MビットFRAM
富士通セミコンダクターは、4Mビットの不揮発性FRAM「MB85RS4MT」を発表した。10兆回の書き換えが可能で、高速での書き込み、低消費電力を特長とする。(2018/9/18)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
AMD復活の立役者がラティス新CEOに、問われるその手腕
Lattice Semiconductorの新CEOに、AMDを「Zen」で復活に導いたJim Anderson氏が就任する。技術畑の出身ながら低迷するAMDを立て直した手腕を見込まれての登用となるが、Zenのような“銀の弾丸”は用意できるのだろうか。(2018/9/18)

富士通セミコンダクター:
EEPROMの約1000万倍の書き換え回数を実現する4MビットFRAM「MB85RS4MT」
富士通セミコンダクターは、シリアルインタフェースのFRAMファミリーで最大メモリ容量である4Mビット品「MB85RS4MT」を開発し、2018年9月から量産品の提供を開始する。(2018/9/13)

テラビットからペタビット時代へ:
単分子誘導体を開発、記録密度を1000倍以上に
広島大学の研究チームは、室温で強誘電性(メモリ効果)を示す「単分子誘導体(SME:Single Molecule Electret)」の開発に成功した。記録密度を従来の1000倍以上に向上させることが可能となる。(2018/8/14)

基礎から学ぶSTAMP/STPA(3):
STPAの分析を実際にやってみる
第1回で「STAMP/STPAとは何か」に焦点を当てて分析手法の流れを紹介し、第2回ではSTAMP/STPAの各ステップで「何をすべきか(What)」「それはどうやればよいのか(How)」を中心に紹介してSTAMP/STPAの実践手順を解説した本連載。最終回の第3回では、実際にやってみてSTAMP/STPAの勘所や注意点を示しながら解説する。(2018/6/15)

基礎から学ぶSTAMP/STPA(2):
STPAの手順を理解する
連載の第1回では「STAMP/STPAとは何か」「既存の分析手法と何が違うのか」に焦点を当て、分析手法の流れを紹介した。第2回は、STPAの実践手順を解説する。各ステップで「何をすべきか(What)」と、具体的に「どうすればよいのか(How)」を中心に紹介していく。(2018/5/11)

富士通セミコンダクター:
64kビットFRAM、−55℃の屋外でも動作を保証
富士通セミコンダクターは、−55℃という極めて低い温度環境での動作を保証した64kビットFRAM(強誘電体メモリ)「MB85RS64TU」を開発、量産出荷を始めた。(2018/4/25)

車載や産機、医療向け:
書き換え100兆回、遅延ゼロで書き込めるFRAM
Cypress Semiconductor(サイプレス セミコンダクタ)は、車載システムや産業機器、医療機器などのデータ収集用途に向けた不揮発性メモリの新ファミリーを発表した。データの取りこぼしがなく、書き換え回数など耐久性にも優れている。(2018/3/16)

基礎から学ぶSTAMP/STPA(1):
STAMP/STPAとは何か
システムとシステムがつながる、より複雑なシステムの安全性解析手法として注目を集めているのがSTAMP/STPAだ。本連載はSTAMP/STPAについて基礎から学ぶことを主眼とした解説記事となっている。第1回は、STAMP/STPAの生まれた理由や、従来手法との違い、実施の大まかな流れについて説明する。(2018/3/9)

富士通セミコンダクター システムメモリカンパニー長 松宮正人氏:
PR:不揮発性RAMで、社会に新たな価値を提供し続ける富士通セミコンダクター
富士通セミコンダクターは、省電力、高速動作を特長とするFRAMを扱うシステムメモリ事業で、IoT(モノのインターネット)時代のニーズに応じたソリューションの提案を加速させる。2018年は、RFIDによる無線給電技術とFRAM技術を組み合わせた“バッテリーレスソリューション”が実用化される見通し。「省電力の不揮発性RAMへの期待はますます大きくなっている。新製品開発やソリューション開発で、それらの期待に応えたい」という富士通セミコンダクター システムメモリカンパニー長の松宮正人氏に事業戦略を聞いた。(2018/1/16)

サイプレス セミコンダクタ 代表取締役社長 長谷川夕也氏:
PR:想定を上回る飛躍を遂げるCypress、IoTへの積極投資継続へ
Cypress Semiconductorの日本法人社長を務める長谷川夕也氏は「2017年は想定を上回る大きな飛躍を遂げた1年だった」と振り返る。世界的なIoT(モノのインターネット)化の流れを的確に捉え、2016年にBroadcomから引き継いだIoT向け無線通信チップ事業で大きく売り上げを伸ばした。2018年についても、組み込み領域に必要なあらゆる半導体製品をそろえるラインアップをベースに、オートモーティブ、インダストリアル、コンシューマーの3市場で一層の飛躍を遂げるべく、積極的な事業展開を計画する。(2018/1/16)

福田昭のストレージ通信(87):
半導体メモリの専門学会「国際メモリワークショップ(IMW)」が日本で開催へ
2008〜2017年まで主に米国で開催されてきた「国際メモリワークショップ(IMW)」が、2018年は日本の京都で開催される。今回はIMWの概要を紹介しよう。(2017/12/6)

日本TI MSP430:
25種類の機能を備えたセンシング向けマイコン
日本テキサス・インスツルメンツは、低消費電力マイコン「MSP430」に、単価0.25米ドルの「MSP430FR2000」(メモリ容量0.5Kバイト)と「MSP430FR2100」(同1Kバイト)を追加した。(2017/12/6)

FRAMが動作を安定化:
実用化目前! 電池レスの無線キーボード
富士通セミコンダクターは展示会「Embedded Technology 2017(ET2017)/IoT Technology 2017」(会期:2017年11月15〜17日)で、電池を搭載しない無線キーボードのデモを公開している。(2017/11/16)

製品分解で探るアジアの新トレンド(22):
中国勢が目指すマイコン市場、その新たなるルート
AppleやSamsung Electronicsなど、大手メーカーの製品に、中国メーカーのシリアルフラッシュメモリやARMマイコンが搭載され始めている。こうした傾向から、中国メーカーが開拓しつつある、マイコン市場への新たなルートが見えてくる――。(2017/11/13)

福田昭のストレージ通信(86) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(7):
まとめ:新世代のメモリを創造する二酸化ハフニウム/ジルコニウム
今回は、強誘電体メモリに関する2つのシリーズ「強誘電体メモリの再発見」と「反強誘電体が起爆するDRAM革命」の要点をまとめる。2011年に二酸化ハフニウム強誘電体が公表されてからの研究成果を振り返るとともに、これからの課題についても触れておきたい。(2017/11/2)

ラピスが2017年12月から量産:
1MビットFeRAM、モバイルやIoT機器への応用も
ラピスセミコンダクタは、1Mビットの強誘電体メモリ(FeRAM)のサンプル出荷を開始し、2017年12月には量産を開始する。モバイル機器やIoT(モノのインターネット)機器への適用も視野に入れている。(2017/10/30)


サービス終了のお知らせ

この度「質問!ITmedia」は、誠に勝手ながら2020年9月30日(水)をもちまして、サービスを終了することといたしました。長きに渡るご愛顧に御礼申し上げます。これまでご利用いただいてまいりました皆様にはご不便をおかけいたしますが、ご理解のほどお願い申し上げます。≫「質問!ITmedia」サービス終了のお知らせ

にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。

RSSフィード

公式SNS

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.