ローム、1200V/300A定格のフルSiCパワーモジュール：パワー半導体

ロームは2015年4月、パワー半導体素子を全てSiC（炭化ケイ素）デバイスで構成したフルSiCパワーモジュールとして、定格1200V、300Aを実現した「BSM300D12P2E001」を2015年6月から量産出荷すると発表した。

[竹本達哉，EE Times Japan]

　ロームは2015年4月15日、パワー半導体素子を全てSiC（炭化ケイ素）デバイスで構成したフルSiCパワーモジュールとして、定格1200V、300Aを実現した「BSM300D12P2E001」を2015年6月から量産出荷すると発表した。

　同社は2012年3月に、SiC-MOSFETとSiC-SBD（ショットキーバリアダイオード）で構成したフルSiCモジュールの量産を開始。これまで、定格1200V/120A品、同/180A品を製品化してきた。今回の新製品は、300A対応で、最も定格電流の大きな製品となる。

大電流対応のため、内部構造見直し

定格1200V、300Aを実現したフルSiCパワーモジュール「BSM300D12P2E001」

　大電流化で生じるスイッチング動作時のサージ電圧の上昇に対応するため、パッケージ内部構造を見直して、内部インダクタンスを低減。SiCデバイスの配置や内部パターンも最適化することで、従来品よりも内部インダクタンスを半減することに成功し、定格300Aを実現した。

　スイッチング損失については、「同等電流定格の（シリコンによるパワーデバイスを用いた）IGBTモジュールと比較してスイッチング損失を77％低減できた」（同社）とする。スイッチング損失を抑えたことにより、コイルやキャパシタなどのパワーモジュール周辺部品の小型化につながる高周波動作を高効率で行える。ロームによると、30kHz動作時であれば、従来のIGBTモジュールに比べ導通損失を含む総合的な損失を約60％低減し、5kHz動作時の従来IGBTモジュールと同等の損失を実現するとしている。

従来のIGBTモジュールと新製品の損失比較 出典：ローム

　温度保証は、ジャンクション温度（Tj）が最大175℃、保存温度（Tsag）が−40〜125℃となっている。なお、モジュールはサーミスタを内蔵している。

　なお、新製品の製造は、前工程をローム・アポロ（福岡県八女郡広川町）で、後工程は本社工場（京都市）で実施するとしている。