欠陥の量を保証した6インチSiCウエハーを発売――東レ・ダウコーニング：パワー半導体 SiC

[EE Times Japan]

　東レ・ダウコーニングは2014年9月18日、6インチ（150mm）サイズのSiC（炭化ケイ素）ウエハーとして、マイクロパイプ密度（MPD）や貫通らせん転位（TSD）など欠陥の量を保証した製品（3グレード）を発売したと発表した。

　保証される欠陥は、MPDやTSD、基底面転位（BPD）といったデバイス性能に致命的な影響を与える「キラー欠陥」と呼ばれるもの。同社では、「SiCウエハメーカーの多くは、6インチSiCウエハーのMPDについて保証しているが、TSDやBPDといった他のキラー欠陥についても厳しい規格を明示するのは当社が初めて」と主張する。なお、同社は2014年5月に同様のキラー欠陥量を保証した4インチ（100mm）サイズのSiCウエハーを製品化している。

　6インチSiCウエハー製品は、欠陥量に応じて、3つのグレードがある。最も欠陥の少ない最高品質グレードの「プライム・ウルトラ」は、MPD＝1cm^-2未満、TSD＝200cm^-2未満、BPD＝3000cm^-2未満を保証。MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）、JFET（ジャンクション電界効果トランジスタ）、BJT（バイポーラ接合トランジスタ）といったスイッチングデバイスなど向け。「品質が極めて優れているため、3.3kVを超える高圧や定格電流が大きいデバイスの設計でもそのメリットを発揮する」（同社）という。

　この他、MPD＝1cm^-2未満、TSD＝300cm^-2未満を保証したピンダイオードなど向けの「プライム・セレクト」、MPD＝1cm^-2未満を保証したショットキーダイオード向けの「プライム・スタンダード」を用意する。