SiC/GaNデバイス向けパワーサイクル試験、劣化状況を非破壊で評価：OKIエンジニアリング パワーサイクル試験

[馬本隆綱，EE Times Japan]

　OKIエンジニアリング（OEG）は、熱過渡解析付きパワーサイクル試験の設備を導入し、次世代パワー半導体デバイス向け「パワーサイクル試験」サービスを、2015年7月7日より開始する。非破壊でSiC（炭化ケイ素）/GaN（窒化ガリウム）デバイスの劣化状況を評価することが可能となる。

　パワーサイクル試験は、パワー半導体デバイスに熱ストレスを与え、それに対する耐性を評価するテストだ。従来のパワーサイクル試験では、断続通電により電流オン時の「自己発熱」と、オフ時の「冷却」という熱ストレスを繰り返し与える。デバイスの劣化状況を確認するためには、試験後に破壊検査で断面の観察などを行う必要があった。

　これに対して、同社が新たに提供するサービスは、「パワーサイクル試験」と「熱過渡解析」を同一の装置で同時に行うことができる。しかも、パワー半導体デバイスの劣化状況は非破壊で確認することができるという。また、試験時間は最大1/10まで短縮することが可能である。新サービスの価格（税込）は1件当たり30万円より、となっている。

OEGが新たに導入した熱過渡解析付きパワーサイクル試験設備の外観

　OEGは、新たに開始したパワーサイクル試験サービス以外にも、パワー半導体デバイス向けのさまざまなサービスを用意している。電気的特性を測定する「特性評価」や、欠陥の観察から将来故障に至る危険性を推定する「良品解析」、故障発生個所の特定から原因究明まで解析する「故障解析」、耐熱性や耐寒性などを評価する「信頼性環境試験」などのサービスである。これらを組み合わせた一括サービスの提供も行う。

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