Western Digital(ウエスタンデジタル/WD)は2017年8月2日(米国時間)、東芝とのNAND型フラッシュメモリの合弁事業に対し、今後も投資を行うとの声明を発表した。この発表の直前に東芝は、東芝メモリのメモリ新製造棟(四日市工場)への投資について協議中だったSanDisk(サンディスク:WDの子会社)と合意に至らなかったため、東芝メモリ単体で投資を続行すると発表していた。
WDが4ビット/セルの64層3D NANDを開発
Western Digital(WD:ウエスタンデジタル)は、64層構造の3D NAND型フラッシュメモリ「BiCS3」向けに、1セル当たり4ビットの多値化技術を開発した。記憶容量は、現行の3ビット/セルの512Gビットに比べて50%増となる768Gビットを実現できるとする。
SK Hynixが72層256Gb 3D NANDフラッシュを開発
SK Hynixが72層の256ビット3D(3次元)NAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。同社は2016年から、36層128Gビット3D NANDフラッシュの発表や、48層256Gビット3D NANDフラッシュの量産開始など、3D NANDフラッシュの開発を加速している。