Intelの創業4年目（前編）、半導体メモリのトップベンダーに成長：福田昭のデバイス通信（171） Intelの「始まり」を振り返る（4）（2/2 ページ）

[福田昭，EE Times Japan]

DRAMの大成功と、自社所有建屋への移転

　販売では、前年（1970年）10月に開発した世界初のダイナミックRAM（DRAM）「1103」が大成功を収めた。「1103」は業界標準メモリの地位を確立し、半導体メモリ市場でIntelのシェアを30％〜50％に押し上げる原動力になったと、1971年の年次報告書では高らかにうたっている。2018年の現代に置き換えると、半導体メモリ市場におけるSamsung Electronicsのような地位を、Intelは獲得したことになるのだろうか。もっとも市場規模そのものは非常に小さく、半導体メモリおよびIntelの社会的影響は現代とは比較にならない。

　生産と運営では、本社の移転と自社所有工場の稼働という大きな出来事があった。Intelはシリコンバレー地域の一角、カリフォルニア州マウンテンビューで創業した。本社オフィス建屋と工場建屋、それから半導体製造装置は全てリース物件である。Intelはマウンテンビューからおよそ10kmほど離れたサンタクララで土地を購入し、本社ビルと工場を建設する。1971年に本社ビルと工場は竣工し、本社オフィスはマウンテンビューからサンタクララへと移転した。

　マウンテンビューの生産工場はそのまま残され、稼働を続けた。サンタクララの生産工場は、Intelにとっては生産の移転ではなく、生産を増強する手段だった。新工場の稼働によって半導体生産のスループットは前年の3.5倍と大幅に向上した。

1971年の主な出来事。Intelの年次報告書（アニュアルレポート）を基に作成（クリックで拡大）

サンタクララのIntel本社社屋。1970年代初頭に撮影されたもの。出典：Intel（クリックで拡大）

翌年（1972年）への明るい展望

　1971年の年次報告書（アニュアルレポート）は冒頭の本文を、翌年（1972年）への明るい展望で締めくくっている。製品開発では、nチャンネルのMOS FET技術による新製品を市場に投入する。現行のpチャンネルMOS FETデバイスに比べて性能が向上するとともに、電源電圧が下がり、消費電力が減る。また記憶容量が4,096ビット（4Kビット）の大容量メモリを開発する計画である。

　それから1971年に新設したメモリボードの開発・販売部門が本格的に活動し始める。メモリモジュールとメモリサブシステムの新製品をいくつか投入するという。

翌年（1972年）の展望。Intelの年次報告書（アニュアルレポート）を基に作成（クリックで拡大）

　そして1972年は、売り上げが1971年に比べて大幅に増加すると述べている。といっても1971年の業績をまだご説明していないので、やや分かりにくいかもしれない。1971年は業績でも大きな変化があった。詳しくは後編でご紹介したい。

（後編に続く）

福田昭のデバイス通信【Intelの「始まり」を振り返る】記事一覧

創業1年目	研究開発主体で売り上げは「ゼロ」
創業2年目	初めての製品売り上げを計上するも赤字は拡大
創業3年目	売り上げが前年の11倍に急増して赤字が縮小
創業4年目	（前編）半導体メモリのトップベンダーに成長
	（後編）最終損益が黒字に転換
創業5年目	（前編）収入が前年の2.5倍に、初めての営業黒字を計上
	（後編）腕時計メーカーになったIntel
創業6年目	クリーンルームに防塵衣がまだなかった頃
⇒	「福田昭のデバイス通信」連載バックナンバー一覧